[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

发光结构，至少包括第一导电性半导体层、有源层、以及第二导电性半导体层；

电极层，位于所述发光结构上；

接触层，位于所述发光结构与所述电极层之间，并包括氮化物半导体层。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述接触层包括掺杂剂。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述接触层包括选自由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN、以及AlInN组成的群中的至少一种。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述接触层包括掺杂剂，该掺杂剂具有与构成所述第一和第二导电性半导体层其中之一的掺杂剂的极性相同的极性。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述接触层包括与构成所述第一和第二导电性半导体层其中之一的半导体材料相同的半导体材料。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述接触层具有在至范围内的厚度。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述接触层具有在0.7E18至3E18范围内的掺杂浓度。

8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述接触层包含多个凹槽和设置在所述多个凹槽之间并且互相连接的多个图案。

9.如权利要求8所述的发光装置，其中每个凹槽至少包括孔和沟槽中的一种。

10.如权利要求9所述的发光装置，其中所述电极层具有包括多个突起的底表面。

11.如权利要求10所述的发光装置，其中每个突起形成在所述凹槽中。

12.如权利要求9所述的发光装置，其中所述沟槽具有对应于相对于接触层厚度的30%至90%的深度。

13.如权利要求8所述的发光装置，其中所述图案的宽度等于或宽于所述凹槽的宽度。

14.如权利要求8所述的发光装置，其中所述电极层的底表面具有与所述凹槽的形状相对应的形状。

15.如权利要求1所述的发光装置，其中所述接触层具有条纹形状或格形状。

16.如权利要求1所述的发光装置，还包括所述接触层上的凹-凸结构。

17.如权利要求16所述的发光装置，其中所述电极层的底表面具有与所述凹-凸结构的形状相对应的形状。

18.如权利要求16所述的发光装置，其中所述凹-凸结构设置在所述接触层的顶表面。

19.如权利要求1所述的发光装置，其中所述接触层具有比所述第二导电性半导体层的掺杂浓度低的掺杂浓度。

20.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电极层包括透光性导电材料和反射性导电材料中的一种。