[发明专利]用于防范UTBB上的与接触有关的短接的方法

说明书

技术领域

本发明主要地涉及制作绝缘体上硅集成电路，并且更具体地涉及避免与半导体绝缘体上硅集成电路中的衬底的与接触有关的短接。

背景技术

由于典型的基于绝缘体上硅(SOI)的晶体管制作工艺需要有限的氢氟(HF)酸预算，因此在薄掩埋氧化物(BOX)的情况下，尤其对于超薄本体和BOX(UTBB)衬底而言，可能在断片(divot)完全或者部分暴露衬底。这可能经过在浅沟槽隔离(STI)之上穿过的并且连接源极／漏极(S／D)与衬底的未对准接触引起SOI／衬底短接。由于薄BOX，因此接触蚀刻具有很有限度的余地。

因此在本领域中需要改进对由于未对准接触经过掩埋氧化物穿透所致的从源极／漏极区域到衬底的短接的防范。

发明内容

经过在衬底上的掩埋氧化物上面的有源硅层向衬底中并且经过有源硅层上的任何焊盘电介质蚀刻隔离沟槽。有源硅层的横向外延生长向隔离沟槽中形成突出物至至少约5纳米的横向距离，并且用电介质填充隔离沟槽的在突出物周围的部分。在有源硅层的包括电介质的部分上形成凸起源极／漏极区域。作为结果，在凸起源极／漏极区域的边缘周围穿过的未对准接触在隔离沟槽中保持从衬底的侧壁间隔开。

在进行以下具体描述之前，阐述贯穿本专利文献使用的某些字眼和短语的定义可以是有利的：术语“包括”及其派生词意味着包括而不限于；术语“或者”为包含意义，这意味着和／或；短语“与......关联”和“与之关联”及其派生短语可以意味着包括、在......内包括、与......互连、包含、在......内包含、连接到或者与......连接、耦合到或者与......耦合、与......可连通、与......配合、交织、并置、与......邻近、限制于或者由......限制、具有、具有......性质等；并且术语“控制器”意味着控制至少一个操作的任何设备、系统或者其部分，可以在硬件、固件或者软件或者它们中的至少两项的某一组合中实施这样的设备。应当注意，无论本地还是远程都可以集中或者分布与任何特定控制器关联的功能。贯穿本专利文献提供用于某些字眼和短语的定义，本领域普通技术人员应当理解，在如果不是多数则为许多实例中，这样的定义适用于这样定义的字眼和短语的先前以及将来使用。

附图说明

为了更完整理解本公开内容及其优点，现在参照结合附图进行的以下描述，在附图中，相似标号代表相似部分。

图1描绘集成电路结构的截面图，该图示出与UTBB衬底的接触短接；

图2是根据本公开内容的一个实施例的半导体集成电路结构的部分的截面图，该结构使用侧向外延来避免与衬底的与接触有关的短接；并且

图3A至图3K是根据本公开内容的一个实施例的在使用侧向外延以避免与衬底的与接触有关的短接期间半导体集成电路的部分的截面图；并且

图4是图示根据本公开内容的一个实施例的使用侧向外延以避免与衬底的与接触有关的短接的工艺的高级流程图。

具体实施方式

本专利文献中的以下讨论的图1至图4以及用来描述本公开内容的原理的各种实施例仅为举例说明而不应以任何方式解释为限制公开内容的范围。本领域技术人员将理解，可以在任何适当布置的系统中实施本公开内容的原理。

图1描绘集成电路结构的截面图，该图示出与UTBB衬底的接触短接。在图像中，竖直接触与源极／漏极区域中未对准，并且穿透薄BOX以接触在薄BOX以下的STI和衬底的侧壁二者，从而使源极／漏极与衬底短接。

图2是根据本公开内容的一个实施例的半导体集成电路结构的部分的截面图，该结构使用侧向外延来避免与衬底的与接触有关的短接。集成电路结构200包括形成有薄BOX层202和STI区域203的衬底(例如p型区域)201。在BOX层202上形成半导体(例如硅)层204，并且通过侧向外延来生长突出物205以延伸穿过BOX层202的边缘并且在STI区域203的部分之上悬置。在半导体层204上(包括在突出物205上)形成与栅极(在图2的示例中包括栅极电极、阻挡层和栅极绝缘体)和相接侧壁间隔物208(在图2中图示为包括多层)相邻的凸起源极／漏极区域206。