[发明专利]用于防范UTBB上的与接触有关的短接的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

经过在衬底上的薄掩埋氧化物上面的有源半导体层形成隔离沟槽；并且

执行所述有源半导体层的横向外延生长以形成所述有源半导体层的向所述隔离沟槽中延伸的突出物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中向所述隔离沟槽中形成所述突出物至如下横向距离，所述横向距离足以防止在沿着所述突出物穿过的传导材料与所述衬底的侧壁之间的接触。

3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述突出物至约5纳米(nm)的横向距离。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在生长所述突出物之后，用电介质填充所述隔离沟槽。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

经过所述有源半导体层上的焊盘氧化物和焊盘氮化物形成所述隔离沟槽；并且

在所述有源半导体层的被所述隔离沟槽暴露的边缘生长所述突出物。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述有源半导体层的包括所述突出物的部分上形成源极／漏极区域。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述隔离沟槽中形成保形衬垫；

用有机电介质填充所述隔离沟槽的未填充部分；

去除所述有机电介质至所述有源半导体层以下的水平面；

蚀刻所述衬垫至所述有机电介质的所述水平面；并且

从所述隔离沟槽剥离任何剩余有机电介质。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在生长所述突出物之后，去除所述衬垫的在所述隔离沟槽中剩余的任何部分。

9.一种集成电路结构，包括：

经过在衬底上的薄掩埋氧化物上面的有源半导体层形成的隔离沟槽；以及

所述有源半导体层的向所述隔离沟槽中延伸的横向外延生长区域。

10.根据权利要求9所述的集成电路结构，其中所述横向外延生长区域向所述隔离沟槽中突出至如下横向距离，所述横向距离足以防止在沿着所述横向外延生长区域穿过的传导材料与所述衬底的侧壁之间的接触。

11.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中所述横向外延生长区域突出至约5纳米(nm)的横向距离。

12.根据权利要求9所述的集成电路结构，还包括：

电介质，所述电介质填充所述隔离沟槽的在所述横向外延生长区域周围的部分。

13.根据权利要求12所述的集成电路结构，其中填充所述隔离沟槽的在所述横向外延生长区域周围的部分的所述电介质接触所述衬底的侧壁。

14.根据权利要求9所述的集成电路结构，还包括：

在所述有源半导体层上的焊盘氧化物和焊盘氮化物，所述隔离沟槽经过所述焊盘氧化物和所述焊盘氮化物延伸，其中所述横向外延生长从所述有源半导体层的被所述隔离沟槽暴露的边缘突出。

15.根据权利要求9所述的集成电路结构，还包括：

在所述有源半导体层的包括所述横向外延生长区域的部分上形成的源极／漏极区域。

16.根据权利要求9所述的集成电路结构，还包括：

在所述隔离沟槽中的保形衬垫；以及

有机电介质，所述有机电介质填充所述隔离沟槽的未填充部分至所述有源半导体层以下的水平面。

17.一种方法，包括：

经过在衬底上的薄掩埋氧化物上面的有源硅层并且经过所述有源硅层上的电介质形成多个隔离沟槽；并且

使用横向外延从所述隔离沟槽暴露的边缘生长所述有源硅层以向所述隔离沟槽中的每个隔离沟槽中突出。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括：

生长所述有源硅层以向所述隔离沟槽中的每个隔离沟槽中突出至至少约5纳米(nm)的横向距离。

19.根据权利要求17所述的方法，还包括：

在所述有源硅层的包括向所述隔离沟槽中的每个隔离沟槽中的突出物的部分上形成源极／漏极区域。

20.根据权利要求17所述的方法，还包括：

用电介质填充所述隔离沟槽的在所述有源硅层的所述突出物周围的部分。