[发明专利]一种监测SRAM通孔开路的测试结构及其形成方法

权利要求书

1.一种用于监测SRAM通孔开路的测试结构的形成方法，其特征在于，所述测试结构的形成方法至少包括：

提供一衬底，在所述衬底中形成至少两个浅沟道隔离区，在相邻的浅沟道隔离区之间的衬底上形成多晶硅栅；

于每个浅沟道隔离区上形成接触孔，所述接触孔的高度等于SRAM中接触孔的高度；

于所述每个接触孔上形成第一金属层；

于所述每个第一金属层的表面两端分别设置有一个通孔；

分别位于相邻的两个第一金属层上的两个通孔通过第二金属层连接，从而获得链式的测试结构。

2.根据权利要求1所述的监测SRAM通孔开路的测试结构的形成方法，其特征在于：形成所述接触孔的步骤包括：

在所述衬底上淀积一绝缘介质层，所述绝缘介质层的厚度与SRAM中对应位置的绝缘介质层的厚度一致；

刻蚀所述绝缘介质层直至露出衬底，从而形成接触孔，并于接触孔中填充导电材料，此时，制作的接触孔高度等于SRAM中接触孔的高度。

3.根据权利要求2所述的监测SRAM通孔开路的测试结构的形成方法，其特征在于：所述接触孔的高度范围为900～1800埃。

4.根据权利要求1所述的监测SRAM通孔开路的测试结构的形成方法，其特征在于：所述第一金属层为铜材料，所述第二金属层为铜材料。

5.根据权利要求1所述的监测SRAM通孔开路的测试结构的形成方法，其特征在于：形成所述第一金属层、通孔和第二金属层的具体步骤包括：

形成一底部金属层，所述底部金属层的图案与SRAM中第一金属层的图案相同；

在部分所述底部金属层上设置通孔，所述底部金属层上的通孔的位置与SRAM中第一金属层上通孔的位置对应一致；所述底部金属层上位于同一行的通孔中，每相邻两个通孔分为一组，每个通孔只属于一个组，且每组通孔均通过所述第二金属层连接；

在位于同一行中每组通孔之外的底部金属层缺断处添加增补金属线；位于同一行中每组通孔之外的底部金属层和所述增补金属线形成所述第一金属层；

去除使相邻行的增补金属线连接的行间部分的底部金属层；

将相邻行的头端或尾端通过行间金属线相连，构成所述链式的测试结构。

6.一种监测SRAM通孔开路的测试结构，其特征在于：所述测试结构至少包括：

衬底；

浅沟道隔离区，形成于所述衬底中，所述浅沟道隔离区之间的衬底上形成有多晶硅栅；

接触孔，形成于所述浅沟道隔离区上，所述接触孔的高度等于SRAM中接触孔的高度；

第一金属层，形成于所述接触孔上；

通孔，形成于所述第一金属层的表面两端；

第二金属层，连接于相邻的两个第一金属层上的两个通孔之间，从而形成链式的测试结构。

7.根据权利要求6所述的监测SRAM通孔开路的测试结构，其特征在于：测试结构中所述衬底、浅沟道隔离区、第一金属层、通孔、第二金属层、及栅极之外的空间填充有绝缘介质层。

8.根据权利要求6所述的监测SRAM通孔开路的测试结构，其特征在于：所述测试结构中还包含与第一金属层处于同一层面上且用于模拟SRAM第一金属层图案结构的虚拟底部金属层。

9.根据权利要求6所述的监测SRAM通孔开路的测试结构，其特征在于：所述第一金属层为铜材料，所述第二金属层为铜材料。