[发明专利]一种闪存阵列的参考单元、闪存阵列

说明书

技术领域

本发明涉及存储技术领域，具体涉及闪存技术领域，尤其涉及一种闪存阵列的参考单元、闪存阵列。

背景技术

闪存（Flash Memory）是一种非易失性或非挥发性（简单地说就是在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的半导体存储芯片。它具有体积小、功耗低、不易受物理破坏的优点，是移动数码产品的理想存储介质。

闪存的存储功能是通过闪存阵列中的存储单元来实现的。在对存储单元进行编程（或写入）、读取或编程擦除验证操作时，均需要用到闪存阵列的参考单元。图1示出了现有技术的关于闪存阵列的参考单元的局部电路图。如图1所述，参考单元101和与参考单元101连接的存储单元102分别由第一浮栅型场效应管FG1和第二浮栅型场效应管FG2组成。图2示出了图1中关于闪存阵列的参考单元与存储单元的电流-电压的关系曲线图。如图2所示，参考单元101的第一浮栅型场效应管FG1的漏极电流与栅源电压的转移特性曲线（用“FG”标注的曲线）位于存储单元102存1时和存0时的第二浮栅型场效应管FG2的漏极电流与栅源电压的转移特性曲线（分别用“1”和“0”标注的曲线）之间，且三条曲线的斜率相同。根据图2，通过参考单元101中的第一浮栅型场效应管FG1的漏极电流与存储单元102中的第二浮栅型场效应管FG2的漏极电流进行比较，确定存储单元102中存储的值。

在制作参考单元101时，为使其电流-电压关系曲线位于图2所示的存储单元102存1时和存0时的电流-电压关系曲线之间，需要设计参考单元101的第一浮栅型场效应管FG1的阈值电压处于正确的区间。然而，为使第一浮栅型场效应管FG1具有合适的阈值电压，需要进行多次的编程、擦除和比较操作，这样会使参考单元出厂时花费较多的测试时间。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种闪存阵列的参考单元、闪存阵列，来解决以上背景技术部分提到的技术问题。

一方面，本发明实施例提供了一种闪存阵列的参考单元，所述参考单元用于产生与所述闪存阵列的存储单元的电流进行比较的参考电流，所述参考单元包括：

N型场效应管，其中所述N型场效应管经分压电路与所述闪存阵列的存储单元连接，所述分压电路被配置为使得作为所述参考电流的所述参考单元的N型场效应管的漏极电流位于所述存储单元存1时的电流与存0时的电流之间；或

电阻基准，其中所述电阻基准的一端与电流镜连接，所述电流镜被配置为使得所述电阻基准的电流经所述电流镜复制后得到的所述参考电流位于所述存储单元存1时的电流与存0时的电流之间。进一步地，所述存储单元包括浮栅型场效应管，其中，所述浮栅型场效应管的栅源电压为字线电压；

所述存储单元的电流为所述浮栅型场效应管的漏极电流。

进一步地，所述N型场效应管经分压电路与所述闪存阵列的存储单元连接，具体为：所述N型场效应管的栅极经分压电路与所述闪存阵列的存储单元的浮栅型场效应管的控制栅极连接。

进一步地，所述电阻基准为多晶硅电阻器，且为线性的电阻器；所述电阻基准的电压为带隙基准电压。

进一步地，所述分压电路包括一个或多个线性的电阻器，其中，所述多个线性的电阻器的连接方式包括串联连接、并联连接或串联与并联组合连接。

另一方面，本发明实施例还提供了一种闪存阵列，所述闪存阵列包括如下结构之一：

第一结构：参考单元、存储单元和分压电路，其中，所述参考单元用于产生与所述存储单元的电流进行比较的参考电流，并且所述参考单元包括N型场效应管；

所述存储单元与所述参考单元的N型场效应管经所述分压电路连接，用于存储数据；

所述分压电路用于对输入所述参考单元的N型场效应管的栅源电压进行分压，使得作为所述参考电流的所述参考单元的N型场效应管的漏极电流位于所述存储单元存1时的电流与存0时的电流之间；或

第二结构：参考单元、存储单元和电流镜，其中，所述参考单元用于产生与所述存储单元的电流进行比较的参考电流，并且所述参考单元包括电阻基准；

所述存储单元用于存储数据；

所述电流镜与所述电阻基准的一端连接，用于对所述参考单元的电阻基准的电流进行复制，使得复制后得到的所述参考电流位于所述存储单元存1时的电流与存0时的电流之间。

进一步地，所述存储单元包括浮栅型场效应管，其中，所述浮栅型场效应管的栅源电压为字线电压；所述存储单元的电流为所述浮栅型场效应管的漏极电流。