[发明专利]一种闪存阵列的参考单元、闪存阵列

权利要求书

1.一种闪存阵列的参考单元，所述参考单元用于产生与所述闪存阵列的存储单元的电流进行比较的参考电流，其特征在于，所述参考单元包括：

N型场效应管，其中所述N型场效应管经分压电路与所述闪存阵列的存储单元连接，所述分压电路被配置为使得作为所述参考电流的所述参考单元的N型场效应管的漏极电流位于所述存储单元存1时的电流与存0时的电流之间，其中，所述分压电路是指一个或多个线性的电阻器，多个线性电阻器的连接方式包括串联连接、并联连接或串联与并联的组合连接；

或

电阻基准，其中所述电阻基准的一端与电流镜连接，所述电流镜被配置为使得所述电阻基准的电流经所述电流镜的复制比例系数调节后得到的所述参考电流位于所述存储单元存1时的电流与存0时的电流之间。

2.根据权利要求1所述的闪存阵列的参考单元，其特征在于，所述存储单元包括浮栅型场效应管，其中，所述浮栅型场效应管的栅源电压为字线电压；

所述存储单元的电流为所述浮栅型场效应管的漏极电流。

3.根据权利要求2所述的闪存阵列的参考单元，其特征在于，所述N型场效应管经分压电路与所述闪存阵列的存储单元连接，具体为：

所述N型场效应管的栅极经分压电路与所述闪存阵列的存储单元的浮栅型场效应管的控制栅极连接。

4.根据权利要求1所述的闪存阵列的参考单元，其特征在于，所述电阻基准为多晶硅电阻器，且为线性的电阻器；

所述电阻基准的电压为带隙基准电压。

5.根据权利要求1所述的闪存阵列的参考单元，其特征在于，所述分压电路包括一个或多个线性的电阻器，其中，所述多个线性的电阻器的连接方式包括串联连接、并联连接或串联与并联组合连接。

6.一种闪存阵列，其特征在于，所述闪存阵列包括如下结构之一：

第一结构：参考单元、存储单元和分压电路，其中，所述参考单元用于产生与所述存储单元的电流进行比较的参考电流，并且所述参考单元包括N型场效应管；

所述存储单元与所述参考单元的N型场效应管经所述分压电路连接，用于存储数据；

所述分压电路用于对输入所述参考单元的N型场效应管的栅源电压进行分压，使得作为所述参考电流的所述参考单元的N型场效应管的漏极电流位于所述存储单元存1时的电流与存0时的电流之间，其中，所述分压电路是指一个或多个线性的电阻器，多个线性电阻器的连接方式包括串联连接、并联连接或串联与并联的组合连接；或

第二结构：参考单元、存储单元和电流镜，其中，所述参考单元用于产生与所述存储单元的电流进行比较的参考电流，并且所述参考单元包括电阻基准；

所述存储单元用于存储数据；

所述电流镜与所述电阻基准的一端连接，用于对所述参考单元的电阻基准的电流进行调节，使得经过电路的复制比例系数调节后得到的所述参考电流位于所述存储单元存1时的电流与存0时的电流之间。

7.根据权利要求6所述的闪存阵列，其特征在于，所述存储单元包括浮栅型场效应管，其中，所述浮栅型场效应管的栅源电压为字线电压；

所述存储单元的电流为所述浮栅型场效应管的漏极电流。

8.根据权利要求7所述的闪存阵列，其特征在于，所述存储单元与所述参考单元的N型场效应管经分压电路连接，具体为：

所述存储单元的浮栅型场效应管的控制栅极与所述参考单元的N型场效应管的栅极经分压电路连接。

9.根据权利要求6所述的闪存阵列，其特征在于，所述电阻基准为多晶硅电阻器，且为线性的电阻器；

所述电阻基准的电压为带隙基准电压。

10.根据权利要求6所述的闪存阵列，其特征在于，所述分压电路包括一个或多个线性的电阻器，其中，所述多个线性的电阻器的连接方式包括串联连接、并联连接或串联与并联组合连接。