[发明专利]溅射靶材及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及溅射领域，具体涉及一种溅射靶材及其制作方法。

背景技术

溅射沉积（Sputtering Deposition,SD）是物理气相沉积（Physical Vapor Deposition,PVD）中的一种。在溅射沉积过程中要用到溅射靶材，所述溅射靶材在溅射过程中被高能量粒子轰击，溅射靶材的原子或分子离开固体进入气体，并沉淀积累在待沉积的基底表面上形成薄膜。

为了最大限度的减少溅射过程中的杂质干扰，保证沉积薄膜的质量，一般在溅射时将所述溅射靶材所在的沉积室进行抽真空，并在溅射过程中不断地向沉积室内通入惰性气体（如氩气）；利用惰性气体离子轰击靶材并产生辉光放电现象。

理论上，没有杂质气体的干扰而溅射形成的沉积薄膜是质地均匀且没有缺陷的，但是在实际生产过程中，沉积薄膜会有沉积缺陷，如：沉积薄膜的质地不够均匀，或者沉积薄膜上形成有颗粒。

异常放电是导致以上不良现象的原因之一。此外，异常放电现象比较严重时还会导致沉积设备报警，致使溅射过程无法正常进行。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种溅射靶材及其制作方法，能够减小发生异常放电现象的几率。

为了解决所述技术问题，本发明提一种溅射靶材，用于密封于沉积室中，所述溅射靶材包括：

靶材组件，具有溅射面以及围绕所述溅射面的密封面；

密封槽，开设于所述靶材组件密封面上，用于容纳密封部件；

多于4个的排气槽，开设在所述靶材组件的密封面上，所述排气槽与所述密封槽相连通，用于将所述密封槽内的气体排出。

可选的，所述排气槽的数量为8个。

可选的，所述溅射面呈圆形，所述密封面为围绕圆形溅射面的圆环面，所述密封槽为围绕圆形溅射面的圆形槽。

可选的，所述排气槽靠近所述密封槽圆心的一端为球面或者半球面。

可选的，所述多于4个的排气槽沿所述密封槽的圆周方向均匀分布。

可选的，所述排气槽沿所述密封槽切向的开设的宽度在1.47～1.73毫米的范围。

可选的，所述排气槽沿所述密封槽径向的开设的长度在9.36～9.60毫米的范围。

可选的，所述排气槽在垂直于密封面的方向上的开设深度在2.04～2.54毫米的范围。

可选的，所述靶材组件包括：

背板，所述背板的中心部分相对于背板的边缘部分凸起，形成凸起部；

靶材，设置于背板的凸起部上，所述靶材的表面构成所述溅射面；

所述背板的边缘部的表面构成所述密封面。

可选的，所述密封面上设有一围绕所述凸起部的固定圈，用于压紧所述密封部件；

所述固定圈能够使所述排气槽完全露出或者部分露出。

相应的，本发明还提供一种溅射靶材的制作方法，包括：

提供靶材组件，并在所述靶材组件上加工溅射面以及围绕所述溅射面的密封面；

在所述靶材组件的所述密封面上开设密封槽，所述密封槽用于安置使所述靶材组件密封于沉积室中的密封部件；

在所述靶材组件的密封面上开设多于4个排气槽，使所述排气槽与密封槽相连通。

可选的，所述提供靶材组件的步骤包括：提供具有圆形溅射面和围绕圆形溅射面的圆环形密封面的靶材组件；

开设密封槽的步骤包括：在圆环形密封面上形成围绕圆形溅射面的圆形槽。

可选的，开设多于4个排气槽的步骤包括：在所述密封面开设8个所述排气槽，并使这些排气槽沿所述密封槽的圆周方向均匀分布。

可选的，开设多于4个排气槽的步骤包括：使所述排气槽沿所述密封槽切向开设的宽度在1.47～1.73毫米的范围。

可选的，开设多于4个排气槽的步骤包括：使所述排气槽沿所述密封槽径向开设的长度在9.36～9.60毫米的范围。

可选的，开设多于4个排气槽的步骤包括：使所述排气槽在垂直于密封面的方向上的开设深度在2.04～2.54毫米的范围。

可选的，所述制作方法在开设多于4个排气槽的步骤之后，还包括：在所述密封槽上安置用于压紧所述密封部件固定圈，使所述固定圈完全露出或者部分露出所述排气槽。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：