[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器）作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。

TFT-LCD由阵列基板和彩膜基板构成。在阵列基板和彩膜基板中充入液晶，通过控制液晶的偏转，从而实现对光线强弱的控制，然后通过彩膜基板，实现图像显示。现有的TFT-LCD是一种被动发光器件，需要光源使其显示图像。根据光源的不同，可以分为透射式液晶显示器、反射式液晶显示器以及半反半透式液晶显示器，其中透射式液晶显示器是以背光源发出的光线作为光源，如图1所示，为透射式TFT-LCD的阵列基板的结构示意图，横纵交叉的栅线10和数据线11交叉定义出像素单元，背光源的入射光在显示面板内需要分别透过TFT阵列基板的透明基板12、位于该透明基板12上的像素电极13、彩膜基板以及彩膜基板与阵列基板之间的液晶，才能实现图像显示。因此背光源的光线的传送率只有10%，这样一来造成了电力的大量浪费。

此外，反射式液晶显示器是以反射自然光作为光源，所以相比透射式液晶显示器而言具有节能的优势，然而它的缺点在于，只能在光线充足的环境下使用，在夜晚或微光环境下无法使用。

因此，结合透射式液晶显示器和反射式液晶显示器的优点，人们发明了一种半反半透式液晶显示器。现有的半反半透式TFT-LCD的阵列基板的典型结构如图2所示，在由横纵交叉的栅线10和数据线12交叉定义的像素单元内设置有反射层20，该反射层20通过过孔30与像素电极13相连接。沿虚线B-B’可以得到虚线框内的局部截面图，由截面图B-B’可以看出在反射层20与像素电极13之间设置了增厚层21，这是因为光线在反射和透射的过程中具有不同的光程，为了使得显示器能够正常显示图像，需要通过增厚层21使得阵列基板和彩膜基板40之间具有第一盒厚度E以及第二盒厚度F，这样一来，使得通过透射区域的光线和通过反射区域反射后的光线具有相同的光程。然而这样一种结构的阵列基板的制作工艺繁琐、复杂，并且由于增厚层的存在，也将使得显示面板的厚度增加，从而在降低了生产效率的同时增加了生产成本。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，用以制作半反半透式TFT-LCD，简化加工工艺，提高生产效率，降低生产成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括横纵交叉的栅线和数据线以及由所述栅线和数据线交叉界定的像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管TFT和第一电极，所述像素单元分为透射区域和反射区域，所述反射区域具有用于反射光线的反射结构；

所述反射结构包括反射层，所述反射层与所述TFT的漏极同层设置；

所述反射层、所述TFT的漏极以及所述第一电极电连接。

本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

本发明实施例的又一方面，提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括横纵交叉的栅线和数据线以及由所述栅线和数据线交叉界定的像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管TFT和第一电极，所述像素单元分为透射区域和反射区域，方法包括：

在所述反射区域内的透明基板表面设置用于反射光线的反射结构；

在所述反射结构中，通过一次构图工艺与所述TFT的漏极同层形成所述反射层的图案；

其中，所述反射层、所述TFT的漏极以及所述第一电极电连接。

本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，该阵列基板包括由栅线和数据线交叉界定的像素单元，该像素单元分为透射区域和反射区域，通过在反射区域设置用于反射光线的反射结构，且该反射结构具有通过一次构图工艺形成与TFT的漏极同层的反射层。这样一来，可以减少单独制作反射层的步骤，从而简化了制作工艺，提高了生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的透射式液晶显示器的阵列基板的结构示意图；