[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201310372887.2 | 申请日: | 2013-08-23 |
公开(公告)号: | CN103456741A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 赵婷婷 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括横纵交叉的栅线和数据线以及由所述栅线和所述数据线交叉界定的像素单元,所述像素单元包括薄膜晶体管TFT和第一电极,所述像素单元分为透射区域和反射区域,其特征在于,所述反射区域具有用于反射光线的反射结构;
所述反射结构包括反射层,所述反射层与所述TFT的漏极同层设置;
所述反射层、所述TFT的漏极以及所述第一电极电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述反射结构还包括:
位于反射区域的栅极金属层、栅极绝缘层、半导体导电层和钝化层。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述反射区域与所述TFT所在区域相连接,所述反射层与所述TFT的漏极为一体结构。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述透射区域与所述TFT所在区域相连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述反射层的表面设置有过孔,所述第一电极通过所述过孔与所述反射层电连接。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,第一电极包括像素电极或公共电极。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述反射结构的厚度为液晶盒盒厚的二分之一,并且所述反射结构的厚度大于所述TFT的厚度。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6所述的任一阵列基板。
9.一种阵列基板的制造方法,所述阵列基板包括横纵交叉的栅线和数据线以及由所述栅线和所述数据线交叉界定的像素单元,所述像素单元包括薄膜晶体管TFT和第一电极,所述像素单元分为透射区域和反射区域,其特征在于,方法包括:
在所述反射区域内的透明基板表面设置用于反射光线的反射结构;
在所述反射结构中,通过一次构图工艺与所述TFT的漏极同层形成所述反射层的图案;
其中,所述反射层、所述TFT的漏极以及所述第一电极电连接。
10.根据权利要求9所述的制造方法,其特征在于,制作所述反射结构的方法包括:
在透明基板的表面形成栅极金属层;
在形成上述结构的基板表面通过构图工艺形成栅极绝缘层的图案;
在形成上述结构的基板表面通过构图工艺在所述栅极绝缘层与所述反射层之间制作半导体导电层的图案;
在所述形成有反射层的基板表面通过构图工艺形成钝化层的图案。
11.根据权利要求9或10所述的制造方法,其特征在于,所述反射区域与所述TFT所在区域相连接,通过构图工艺形成与所述TFT的漏极为一体结构的所述反射层。
12.根据权利要求9或10所述的制造方法,其特征在于,所述透射区域与所述TFT所在区域相连接。
13.根据权利要求9所述的制造方法,其特征在于,通过构图工艺在所述反射层的表面设置过孔,所述第一电极通过所述过孔与所述反射层电连接。
14.根据权利要求9所述的制造方法,其特征在于,在所述反射区域内的透明基板表面形成的所述反射结构的厚度为液晶盒盒厚的二分之一,并且所述反射结构的厚度大于所述TFT的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的