[发明专利]半导体芯片有效

专利信息
申请号: 201310372803.5 申请日: 2013-08-23
公开(公告)号: CN103985413B 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 李仁宰 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/14 分类号: G11C16/14
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 俞波;石卓琼
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 芯片
【说明书】:

一种半导体芯片包括:中心区域,所述中心区域具有多个第一存储器单元;以及第一边缘,所述第一边缘与中心区域的第一侧相邻。第一边缘包括第一区域和第二区域。第一区域包括多个第二存储器单元,第二区域包括第一焊盘部,地址信号、命令信号、时钟信号、数据信号和控制信号中的至少一个经由所述第一焊盘部而输入和输出。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年2月7日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2013-0014155的优先权,其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的实施例总体而言涉及半导体芯片。

背景技术

在电子业中,随着更小型电子系统的发展,越来越需要高性能半导体器件。响应于这样的需求,已经开发了各种技术以提供大容量的半导体模块。可以通过增加有限面积内所集成的存储器单元的数量来实现大容量的半导体模块。近来,广泛地使用了层叠两个或更多个半导体芯片的技术,以提供适于增加存储容量的大容量的半导体模块。

在对边缘处具有焊盘的半导体芯片进行层叠的情况下,可能需要间隔件以在半导体芯片之间提供均匀的间隔。半导体芯片之间的间隔对于连接焊盘和接合线而言是必须的。然而,设置在半导体芯片之间的间隔可能会增加每个半导体模块的总高度。因此,在实现大容量的半导体模块方面会存在一些限制。

当每个半导体芯片具有包括宽度和大于宽度的长度的矩形形状时,焊盘可以设置在每个半导体芯片的沿长度方向的两个边缘处,并且矩形的半导体芯片可以层叠成相互交叉以暴露出焊盘。在这种情况下,即使不在半导体芯片之间设置间隔件的情况下也可以在焊盘上提供空间。因此,即使不使用间隔件也可以将接合线与焊盘连接。然而,如果矩形的半导体芯片层叠成相互交叉,则每个半导体芯片的两个边缘可以作为悬垂(overhang),所述悬垂未被下方的半导体芯片物理性支撑。因此,与焊盘接合的接合线可能更容易被抬升而导致接合线故障。如果半导体芯片的长度增加,则悬垂的长度也会变得更长而导致更多的接合线故障。

发明内容

各种实施例针对半导体芯片。

根据各种实施例,一种半导体芯片包括:中心区域,所述中心区域具有多个第一存储器单元;以及第一边缘,所述第一边缘与中心区域的第一侧相邻。第一边缘包括第一区域和第二区域。第一区域包括多个第二存储器单元,第二区域包括第一焊盘部,地址信号、命令信号、时钟信号、数据信号和控制信号中的至少一个经由所述第一焊盘部而输入和输出。

根据进一步的实施例,一种半导体芯片包括:沿第一方向顺序地排列的第一列至第三列,以及沿第二方向顺序地排列的第一行至第三行。而且,所述半导体芯片包括多个第一存储器单元和多个第二存储器单元。所述多个第一存储器单元设置在位于第一列与第一行的交叉处的第一区域中,所述多个第二存储器单元设置在位于第二行的第二区域中。

根据进一步的实施例,一种半导体芯片包括:沿第一方向顺序地排列的第一列至第三列,以及沿第二方向顺序地排列的第一行至第三行。所述半导体芯片包括:多个第一存储器单元,所述多个第一存储器单元设置在位于第一列与第一行的交叉处的第一区域中;多个第二存储器单元,所述多个第二存储器单元设置在位于第二行的第二区域中;第一焊盘部,所述第一焊盘部设置在位于第二列与第一行的交叉处的第三区域中;以及多个第三存储器单元,所述多个第三存储器单元设置在位于第三列与第一行的交叉处的第四区域中。第一焊盘部接收或输出地址信号、命令信号、时钟信号、数据信号和控制信号中的至少一个。

根据一个实施例,一种半导体芯片包括:中心区域,所述中心区域包括第一存储器单元;以及第一边缘,所述第一边缘与中心区域的第一侧相邻,其中,第一边缘包括第一区域和第二区域,以及其中,第一区域包括第二存储器单元,第二区域包括第一焊盘部,信号经由所述第一焊盘部而输入和输出。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310372803.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top