[发明专利]晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池制作领域，具体而言，涉及一种晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法。

背景技术

晶硅太阳能电池已经被大规模应用到各个领域，其良好的稳定性和成熟的工艺流程是其大规模应用的基础。随着技术的进步，N型晶硅电池越来越受到市场的重视，而N型太阳能电池选择性背场的工艺又成为提升效率必不可少工艺步骤。现在制作选择性背场的技术中，最好的工艺方法就是采用丝网印刷的方式把弱酸性的腐蚀浆料直接印刷到背场表面，N型太阳能电池选择性背场的工艺即在电池的背场电极栅线（包括主栅和细栅）下及其四周形成高掺杂深扩散区，其他区域形成低掺杂浅扩散区，表面形成高低结，提高太阳电池的开路电压Voc、短路电流Isc，使电池获得高的光电转换效率；待腐蚀浆料与氧化硅反应后把残余的腐蚀浆料去掉即可。

目前，残余腐蚀浆料的清洗方法，首先把反应后留有残余腐蚀浆料的硅片放入常温纯水中清洗2～5分钟，清洗过程要求在带有超声的槽中进行且伴随鼓泡；然后把硅片再放入高温纯水中清洗10～25分钟，清洗过程要求在带有超声的槽中进行且伴随鼓泡；最后把硅片再放入常温纯水中清洗2～8分钟，清洗过程要求在伴随鼓泡的槽中进行。

但是上述清洗方法存在以下主要缺点：1）腐蚀浆料清洗不完全，特别是一些边角位置；2）清洗时间比较长，影响太阳能电池的制作效率。

发明内容

本发明旨在提供一种晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法，以解决现有技术中腐蚀浆料清洗不完全的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种晶硅腐蚀浆料的清洗方法，清洗方法包括：步骤S1，采用弱碱性溶液对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗；步骤S2，采用纯水将完成步骤S1的硅片进行清洗。

进一步地，上述步骤S1在进行超声清洗的同时使硅片在弱碱性溶液中上下运动。

进一步地，上述步骤S1中，弱碱性溶液为质量浓度为0.1～2%的氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液，超声清洗的时间为2～8min，超声的频率为1500～2500Hz，弱碱性溶液的温度为20～45℃，硅片在碱性溶液中上下运动的频率为1～5次/min。

进一步地，上述步骤S2在清洗的同时向纯水充入气体。

进一步地，上述步骤S2中，清洗的时间为2～8min，纯水的温度为20～30℃，气体的流量为15～25slm。

进一步地，上述清洗方法还包括：步骤A，在步骤S1之前还包括采用纯水对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗，且在进行超声清洗的同时向纯水充入气体。

进一步地，上述步骤A中，超声清洗的时间为2～5min，超声的频率为1500～2500Hz，纯水的温度为20～30℃，气体的流量为15～25slm。

进一步地，上述清洗方法还包括在步骤A之前采用弱酸性溶液对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗，且在进行超声清洗的同时向弱酸性溶液充入气体。

进一步地，上述清洗方法还包括：步骤S3，在步骤S2之后采用弱酸性溶液对完成步骤S2的硅片进行超声清洗，且在进行超声清洗的同时向弱酸性溶液充入气体；步骤S4，采用纯水将完成步骤S3的硅片进行超声清洗，且在进行超声清洗的同时向纯水充入气体。

进一步地，采用上述弱酸性溶液进行超声清洗时，弱酸性溶液为温度为15～25℃、质量浓度为0.5～1%的盐酸或硝酸，超声清洗的时间为1～4min，超声的频率为1500～2500Hz，气体的流量为15～25slm。

进一步地，上述步骤S4中，超声清洗的时间为2～5min，超声的频率为1500～2500Hz，纯水的温度为20～30℃，气体的流量为15～25slm。

根据本发明的另一方面，提供了一种晶硅太阳能电池的制作方法，包括对硅片进行表面制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极和烧结的步骤，印刷电极包括印刷浆料和清洗浆料的过程，清洗浆料的过程采用上述的清洗方法进行。

根据本发明的又一方面，提供了一种晶硅太阳能电池，晶硅太阳能电池采用上述的制作方法制作而成。