[发明专利]晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种晶硅腐蚀浆料的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括：

步骤S1，采用弱碱性溶液对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗；

步骤S2，采用纯水将完成所述步骤S1的硅片进行清洗。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤S1在进行所述超声清洗的同时使所述硅片在所述弱碱性溶液中上下运动。

3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述弱碱性溶液为质量浓度为0.1～2%的氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液，所述超声清洗的时间为2～8min，所述超声的频率为1500～2500Hz，所述弱碱性溶液的温度为20～45℃，所述硅片在所述碱性溶液中上下运动的频率为1～5次/min。

4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤S2在所述清洗的同时向所述纯水充入气体。

5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述清洗的时间为2～8min，所述纯水的温度为20～30℃，所述气体的流量为15～25slm。

6.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法还包括：

步骤A，在所述步骤S1之前还包括采用纯水对所述残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗，且在进行所述超声清洗的同时向所述纯水充入气体。

7.根据权利要求6所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤A中，所述超声清洗的时间为2～5min，所述超声的频率为1500～2500Hz，所述纯水的温度为20～30℃，所述气体的流量为15～25slm。

8.根据权利要求6所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法还包括在所述步骤A之前采用弱酸性溶液对所述残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗，且在进行所述超声清洗的同时向所述弱酸性溶液充入气体。

9.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法还包括：

步骤S3，在所述步骤S2之后采用弱酸性溶液对完成所述步骤S2的硅片进行超声清洗，且在进行所述超声清洗的同时向所述弱酸性溶液充入气体；

步骤S4，采用纯水将完成所述步骤S3的硅片进行超声清洗，且在进行所述超声清洗的同时向所述纯水充入气体。

10.根据权利要求8或9所述的清洗方法，其特征在于，采用所述弱酸性溶液进行超声清洗时，所述弱酸性溶液为温度为15～25℃、质量浓度为0.5～1%的盐酸或硝酸，所述超声清洗的时间为1～4min，所述超声的频率为1500～2500Hz，所述气体的流量为15～25slm。

11.根据权利要求9所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述超声清洗的时间为2～5min，所述超声的频率为1500～2500Hz，所述纯水的温度为20～30℃，所述气体的流量为15～25slm。

12.一种晶硅太阳能电池的制作方法，包括对硅片进行表面制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极和烧结的步骤，所述印刷电极包括印刷浆料和清洗浆料的过程，其特征在于，所述清洗浆料的过程采用权利要求1至11中任一项所述的清洗方法进行。

13.一种晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池采用权利要求12所述的制作方法制作而成。