[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 201310371333.0 申请日: 2013-08-23
公开(公告)号: CN103633044A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 鹿野武敏 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L25/07;H01L23/31
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及连接多个半导体组件(package)的半导体装置。

背景技术

通过并联连接相同构造的多个半导体组件,能够根据产品而变更电容量。在现有的半导体装置中,将多个半导体组件平面地排列。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平4-280667号公报。

发明内容

当将多个半导体组件平面地排列时,兼用于半导体组件的固定的散热片变大。另外,由于引线配置于半导体组件的侧面,故必须采用考虑引线位置的布局。另外,由于需要固定半导体组件的端子的台、用于固定该台的空间,故装置大型化。

提案有重叠多个半导体组件并将引线插入设于它们的贯通孔的装置(例如,参照专利文献1)。然而,由于在未树脂密封的绝缘衬底存在贯通孔,故存在与其他电极的沿面距离短而耐性低的问题。

本发明为了解决如上所述的问题而完成,其目的在于获得布局的自由度高、耐压高且小型化的半导体装置。

本发明所涉及的半导体装置具备:半导体组件,从上表面朝向下表面设有贯通孔;以及电极棒,插入所述半导体组件的所述贯通孔,所述半导体组件具有:绝缘衬底;半导体芯片,配置于所述绝缘衬底上;电极图案,配置于所述绝缘衬底上并与所述半导体芯片连接;树脂,密封所述绝缘衬底、所述半导体芯片以及所述电极图案;以及电极部,配置于贯通所述绝缘衬底以及所述树脂的所述贯通孔的内壁并与所述电极图案连接,插入所述贯通孔的所述电极棒与所述电极部连接。

根据本发明,能够获得布局的自由度高、耐压高且小型化的半导体装置。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式1所涉及的半导体组件的剖视图;

图2是示出本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的立体图;

图3是示出本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的剖视图;

图4是示出比较例所涉及的半导体装置的立体图;

图5是示出比较例所涉及的半导体装置的剖视图;

图6是示出本发明的实施方式2所涉及的半导体装置的剖视图;

图7是示出本发明的实施方式3所涉及的半导体装置的剖视图;

图8是示出本发明的实施方式4所涉及的半导体装置的立体图;

图9是示出本发明的实施方式4所涉及的半导体装置的剖视图;

图10是示出本发明的实施方式5所涉及的半导体装置的立体图;

图11是示出本发明的实施方式5所涉及的半导体装置的剖视图;

图12是示出本发明的实施方式6所涉及的半导体装置的立体图;

图13是示出本发明的实施方式6所涉及的半导体装置的剖视图;

图14是示出本发明的实施方式7所涉及的半导体装置的剖视图;

图15是示出本发明的实施方式8所涉及的半导体装置的剖视图;

图16是示出本发明的实施方式9所涉及的半导体装置的剖视图。

具体实施方式

参照附图说明本发明的实施方式所涉及的半导体装置。有时对相同或对应构成要素附以相同符号,省略说明的重复。

实施方式1.

图1是示出本发明的实施方式1所涉及的半导体组件的剖视图。在半导体组件1内,在绝缘衬底2上配置有IGBT(绝缘栅双极晶体管:Insulated Gate Bipolar Transistor)、二极管等半导体芯片3。电极图案4配置于绝缘衬底2上,通过导线5连接于半导体芯片3。此外,还可替代导线5使用板状的电极。在绝缘衬底2的背面配置有散热绝缘板6。树脂7密封绝缘衬底2、半导体芯片3、电极图案4以及导线5。

从半导体组件1的上表面朝向下表面设有贯通孔8。该贯通孔8贯通绝缘衬底2以及树脂7。电极部9配置于贯通孔8的内壁,连接于电极图案4。在贯通孔8的上端以及下端处在贯通孔8的周围设有绝缘材料10。

图2以及图3分别是示出本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的立体图以及剖视图。电极棒11插入半导体组件1的贯通孔8,在半导体组件1内部连接于电极部9。散热器(heat spreader)12配置于半导体组件1的下表面。绝缘材料10配置于贯通孔8的下方,将电极棒11与散热器12绝缘。

电极棒11经由电极部9和电极图案4而连接于半导体芯片3,构成电路。能够经由该电极棒11对半导体芯片3供应电力。而且,利用电极棒11电气性、机械性接合多个半导体组件1,从而能够根据产品而变更电容量。

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