[发明专利]三维半导体装置

权利要求书

1.一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括具有顺序地堆叠在基板上的多个电极的电极结构，

其中，每个电极包括：

连接部，相对于设置有这样的侧壁的平面向外水平地突出，其中，所述侧壁为所述多个电极中的位于该连接部上方的一个电极的侧壁；以及

对齐部，具有与所述多个电极中的位于该对齐部上的一个电极的侧壁或者所述多个电极中的位于该对齐部下面的另一电极的侧壁共面的侧壁，

其中，所述多个电极中的竖直相邻的至少两个电极具有共面的侧壁，

其中，电极结构包括至少一个第一组和至少一个第二组，所述至少一个第一组和所述至少一个第二组中的每个组包括所述多个电极中的一个或更多个电极，

其中，所述至少一个第一组的电极的连接部位于电极结构的左侧和右侧中的一侧，所述至少一个第一组的对齐部位于电极结构的左侧和右侧中的另一侧，并且

所述至少一个第二组的电极的连接部位于电极结构的左侧和右侧中的所述另一侧，所述至少一个第二组的对齐部位于电极结构的左侧和右侧中的所述一侧，

其中，所述至少一个第一组包括所述多个电极中的偶数编号的电极，所述至少一个第二组包括所述多个电极中的奇数编号的电极。

2.一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括具有顺序地堆叠在基板上的多个电极的电极结构，

其中，每个电极包括：

连接部，相对于设置有这样的侧壁的平面向外水平地突出，其中，所述侧壁为所述多个电极中的位于该连接部上方的一个电极的侧壁；以及

对齐部，具有与所述多个电极中的位于该对齐部上的一个电极的侧壁或者所述多个电极中的位于该对齐部下面的另一电极的侧壁共面的侧壁，

其中，所述多个电极中的竖直相邻的至少两个电极具有共面的侧壁，

其中，电极结构包括至少一个第一组和至少一个第二组，所述至少一个第一组和所述至少一个第二组中的每个组包括所述多个电极中的一个或更多个电极，

其中，所述至少一个第一组的电极的连接部位于电极结构的左侧和右侧中的一侧，所述至少一个第一组的对齐部位于电极结构的左侧和右侧中的另一侧，并且

所述至少一个第二组的电极的连接部位于电极结构的左侧和右侧中的所述另一侧，所述至少一个第二组的对齐部位于电极结构的左侧和右侧中的所述一侧，

其中，所述至少一个第一组包括所述多个电极中的第4n+1个电极和第4n+2个电极，所述至少一个第二组包括所述多个电极中的第4n+3个电极和第4n+4个电极，

其中，n为从零或者使得4n+4小于或等于电极的总堆叠数的这样的自然数中选择的至少一个。

3.如权利要求1或2所述的三维半导体装置，其中，每个电极的连接部和对齐部位于相应的电极的两个相对端部。

4.如权利要求1或2所述的三维半导体装置，其中，电极结构包括第一区域、第二区域和插入在第一区域和第二区域之间的阵列区域，连接部和对齐部中的每一个位于第一区域和第二区域中的一个上。

5.如权利要求4所述的三维半导体装置，所述三维半导体装置还包括：

竖直图案，竖直穿透电极结构的阵列区域；以及

存储元件，插入在竖直图案和电极之间。

6.如权利要求5所述的三维半导体装置，其中，存储元件包括被构造为能够存储电荷或呈现可变电阻性质的材料或层结构。

7.如权利要求1或2所述的三维半导体装置，所述三维半导体装置还包括水平分隔开且由与电极中的一个电极的材料相同的材料形成的至少一个虚设图案。

8.如权利要求7所述的三维半导体装置，其中，所述至少一个虚设图案处于电浮动状态。

9.如权利要求1或2所述的三维半导体装置，所述三维半导体装置还包括设置在电极结构上的插塞，

其中，电极结构包括：

主体部，包括所述多个电极中的电连接到插塞的电极；以及

虚设部，包括所述多个电极中的与插塞电分离的电极，

其中，虚拟部与主体部水平地分隔开。

10.如权利要求9所述的三维半导体装置，其中，主体部包括至少一个主体侧壁部，虚设部包括与主体侧壁部面对的第一虚设侧壁部，

其中，主体侧壁部和第一虚设侧壁部被设置为相对彼此镜面对称，主体侧壁部和第一虚设侧壁部中的每个具有阶梯式部分。