[发明专利]半导体图形化方法

权利要求书

1.一种半导体图形化方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有功能层；

在所述功能层上按预设宽度形成多个牺牲图案；

获取所述牺牲图案的实际宽度和相邻所述牺牲图案的实际间距的至少其中之一；

在所述牺牲图案的侧面形成侧墙，调控所述侧墙的实际宽度或者相邻所述侧墙的实际间距，直至相邻所述侧墙的实际间距相等；

去除所述牺牲图案；

以所述侧墙为掩模蚀刻所述功能层形成功能图案，调控所述功能层的实际宽度等于所述功能层的预设宽度；

所述牺牲图案的实际宽度与预设宽度相差范围在10埃～30埃。

2.如权利要求1所述的半导体图形化方法，其特征在于，通过调控所述侧墙的实际宽度等于所述牺牲图案的预设宽度与所述侧墙的预设宽度之和与所述牺牲图案的实际宽度之差，或者通过调控所述侧墙的实际间距等于所述牺牲图案的实际宽度，使相邻所述侧墙的实际间距相等。

3.如权利要求1所述的半导体图形化方法，其特征在于，采用第一次先进制程控制调控所述侧墙的实际宽度或者相邻所述侧墙的实际间距。

4.如权利要求3所述的半导体图形化方法，其特征在于，所述第一次先进制程控制通过调控工艺温度、时间、气体组分、气体流量、气压和功率的至少其中之一调控所述侧墙的实际宽度或者相邻所述侧墙的实际间距。

5.如权利要求1所述的半导体图形化方法，其特征在于，采用第二次先进制程控制调控所述功能层的实际宽度。

6.如权利要求5所述的半导体图形化方法，其特征在于，所述第二次先进制程控制通过调控工艺温度、时间、气体组分、气体流量、气压和功率的至少其中之一调控所述功能层的实际宽度。

7.如权利要求1所述的半导体图形化方法，其特征在于，采用扫描电子显微镜或者扫描光学测量设备获取所述牺牲图案的实际宽度。

8.如权利要求1所述的半导体图形化方法，其特征在于，所述牺牲图案的材料包括无定形碳，所述牺牲图案的厚度范围在1000埃～3000埃。

9.如权利要求1所述的半导体图形化方法，其特征在于，所述侧墙的材料包括氧化硅、氮化碳或者氮化硅中的一种或者多种的任意组合，所述侧墙的宽度范围在100埃～500埃。