[发明专利]PMOS晶体管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，在其上依次形成第一材料层与第二材料层；所述第一材料层的材质为碳化硅；

在所述第二材料层上形成栅极结构；

以所述栅极结构为掩膜，依次对所述第二材料层、第一材料层以及部分半导体衬底进行第一次刻蚀；

对所述第一材料层的两侧进行第二次刻蚀；

在所述半导体衬底上形成第三材料层，所述第三材料层位于所述第一材料层、第二材料层和栅极结构的两侧，并且位于所述第一材料层两侧的所述第三材料层之间的距离小于位于所述第二材料层、栅极结构以及半导体衬底两侧的所述第三材料层之间的距离。

2.如权利要求1所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述碳化硅中碳的摩尔比为0.05～0.2。

3.如权利要求2所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一材料层的厚度为20nm～80nm。

4.如权利要求1所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二材料层的材质为硅。

5.如权利要求4所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二材料层的厚度为10nm～40nm。

6.如权利要求1所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二次刻蚀为干法刻蚀。

7.如权利要求6所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用CHF₃/O₂、CHF₃/O₂/He等离子体进行刻蚀。

8.如权利要求7所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀的压强为1.75Torr。

9.如权利要求1所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二次刻蚀之后，第一材料层的宽度在所述栅极结构宽度的二分之一以上。

10.如权利要求1所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述第三材料层的高度低于所述栅极结构的高度。

11.如权利要求10所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述第三材料层为锗化硅。

12.如权利要求11所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述锗化硅中锗的摩尔比为0.2～0.45。

13.如权利要求1所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，在形成第三材料层之后还包括，进行B/BF₂掺杂以形成LDD的步骤。

14.如权利要求13所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述B/BF₂掺杂采用原位掺杂工艺，掺杂剂量为1E19/cm³～1E21/cm³。

15.如权利要求13所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述B/BF₂掺杂采用植入工艺，掺杂剂量为3E14/cm³～1E15/cm³，功率为500Kev～2Kev。

16.如权利要求1所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底为<110>、<100>或<111>晶格。

17.一种使用权利要求1～16任一项所述的PMOS晶体管的制造方法制造的PMOS晶体管结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的第一材料层；

位于所述第一材料层上的第二材料层；

位于所述第二材料层上的栅极结构；

位于第一材料层、第二材料层及栅极结构两侧，半导体衬底上的第三材料层；位于所述第一材料层两侧的所述第三材料层之间的距离小于位于所述第二材料层、栅极结构以及半导体衬底两侧的所述第三材料层之间的距离。