[发明专利]金属纳米线膜及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及透明导电膜及其制造方法，以及更具体地涉及金属纳米膜及其制造方法，其中包括多个形成在透明衬底上的金属纳米线的双涂层通过湿蚀刻被部分蚀刻，从而可视性变得更优越，并且生产成本可以被降低。

背景技术

通常，透明导电膜（TCF）被广泛应用于例如平板液晶显示器、触摸屏等类似物中，并且近来已经被开发成为能够代替铟锡氧化物（ITO）膜的用于透明电极的元件材料。

将ITO膜应用至大尺寸触摸屏是困难的，这是因为难以为所需的光学特性来降低电阻。相反，在透明导电膜的情况下，容易实现15英寸或更大的大尺寸电容触摸屏中所需的100ohms或更低的片电阻。因此，透明膜被注意到作为替代ITO膜的材料。

图1是示出了传统透明导电膜的截面图。

参考图1，传统透明导电膜以这样的方式形成：使用包括多个金属纳米线25的第一涂层溶液在透明衬底10上形成第一涂层20，然后，使用第二涂层形成第二涂层30，覆盖从第一涂层20的表面突出的金属纳米线25。

此时，配置有形成在透明衬底10上的第一涂层20和第二涂层30的双涂层的厚度通常是几十至几百纳米，并且其片电阻由金属纳米线25的密度以及第一涂层20的覆盖度来决定。

此外，其透过率是由不存在纳米线25的开放区域的面积和涂覆液的特性决定的。其片电阻和光学特性由金属纳米线25的紧凑性决定的。

同时，在过去，当形成电容触摸屏的电极图样时，进行激光蚀刻，当这样的激光蚀刻如图1所示被执行时，配置有第一涂层20和第二涂层30的双涂层被整体蚀刻，从而难以保证电容式触摸屏所需的可视性。

即，在电容式触摸屏的情况下，根据图样化电极的方法，存在可视性的不同，保留图样的部分的反射率R1和不保留图样的部分的反射率R2之间的不同导致光学特性不同的发生。

发明内容

为了解决上述问题，提出了本发明，并且本发明的一个目的是提供一种纳米线膜及其制造方法，其中包括多个形成在透明衬底上的多个金属纳米线的双涂层部分通过湿蚀刻被部分蚀刻，从而可视性变得更优越，并且生产成本可以被降低。

根据本发明的第一方面，提供了一种金属纳米线膜，包括：透明衬底；第一涂层，形成在透明衬底上并包括多个金属纳米线；以及第二涂层，涂覆在第一涂层上以覆盖从第一涂层突出的所有金属纳米线，其中第一涂层和第二涂层通过在第二涂层上形成预定图样形成掩模和湿蚀刻来图样化，以及第一涂层的一部分保留在蚀刻图样区中，其中纳米线被从蚀刻图样区中的第一涂层的保留部分中去除。

在一些实施例中，控制在蚀刻图样区中的第一涂层的保留部分的厚度（图2中的D2）可以是本发明的典型特征之一，因为第一涂层的保留部分的厚度对可视性产生重要影响。因此，优选地实现蚀刻图样区中的第一涂层的保留部分的厚度（图2中的D2）为整个厚度D1的1/5或更多至4/5或更少。在其他情况下，第一涂层和第二涂层都保留为剩余厚度的情况是可以的，但是优选地仅保留第一涂层的一部分。

在另一实施例中，如上所述的范围，在D2是D1的1/5或更多至4/5或更少的情况下，金属纳米线也可以从蚀刻图样区中的第一涂层的保留部分中被全部去除。这是因为，如果金属纳米线保留，则绝缘性能可能产生问题。因此，如果根据需要使用了仅蚀刻第一涂层中存在的金属纳米线（当作为第一涂层剩余物的一部分时）的方式，则可以更容易控制D2的厚度。

在另一实施例中，另一方面，上述范围的限定是改进可视性并且用于选择适当厚度的机制，其原因在于没有执行蚀刻的涂层的D1和被蚀刻至预定厚度之后保留的剩余涂层的D2之间的折射率差。即，在D2配置为小于D1的1/5的情况下，没有执行蚀刻的涂层的D1和涂层的D2之间的折射率差过度发生，并因此存在降低可视性的问题，以及在D2被配置为超过D1的4/5的情况下，导电性可能发生问题。

在另一实施例中，根据本发明的第二方面，提供了一种制造金属纳米线膜的方法，该方法包括：在透明衬底上形成包括多个金属纳米线的第一涂层；涂覆形成第二涂层，以覆盖从第一涂层的表面突出的所有金属纳米线；以及执行部分蚀刻，从而第一涂层和第二涂层通过在第二涂层上形成预定图样形成掩模和湿蚀刻来进行图样化，其中第一涂层的一部分保留在蚀刻图样区中，以及金属纳米线被从蚀刻图样区中的第一涂层的保留部分去除。

在另一实施例中，第一元件和第二元件可以包括不同的导电材料。