[发明专利]显示装置、阵列基板、像素结构及制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示器及其制作领域，特别涉及一种显示装置、阵列基板、像素结构及制作方法。 

背景技术

近年来，随着科技的发展，液晶显示器技术也随之不断完善。TFT-LCD（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管-液晶显示器）以其图像显示品质好、能耗低、环保等优势占据着显示器领域的重要位置。 

在显示器制作过程中，通常在彩膜基板上制作黑矩阵层及公共电极层，在阵列基板制作薄膜晶体管，并在薄膜晶体管表面制作钝化层及像素电极层，但这种制作方法制作工艺较为复杂。并且，在彩膜基板与阵列基板对盒时带来的误差，一般需要将黑矩阵层制作的比较宽，影响了像素的开口率。。 

发明内容

（一）要解决的技术问题 

本发明要解决的技术问题是：如何提供一种显示装置、阵列基板、像素结构及制作方法，能够减少像素结构的制作工艺，提高开口率，并降低显示设备的功耗。 

（二）技术方案 

为解决上述技术问题，本发明提供了一种像素结构，包括薄膜晶体管及用于形成电场的第一电极，所述像素结构还包括黑矩阵层，所述黑矩阵层位于所述薄膜晶体管和所述第一电极之间。 

可选的，所述像素结构还包括第二电极和第一绝缘层，所述第一 绝缘层形成于第二电极上，所述第一电极形成于所述第一绝缘层上，所述第二电极与所述薄膜晶体管的漏极连接。 

可选的，在形成所述薄膜晶体管的栅极的同时，还形成有用于与所述第一电极形成电场的第三电极，所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极连接。 

可选的，所述第一电极为狭缝电极，所述第二电极为板状电极；或者， 

所述第一电极与所述第二电极均为狭缝电极。 

可选的，所述第一电极为狭缝电极，所述第三电极为板状电极；或者， 

所述第一电极与所述第三电极均为狭缝电极。 

可选的，所述薄膜晶体管的结构自下而上为：栅极、第二绝缘层、有源层和源、漏电极,所述源、漏电极上形成所述黑矩阵。 

可选的，所述薄膜晶体管中的结构自下而上为：源、漏电极、有源层、第二绝缘层、栅极，所述栅极上形成所述黑矩阵。 

本发明还提供一种像素结构制作方法，该方法包括： 

在基板上制作薄膜晶体管； 

在所述薄膜晶体管上方制作黑矩阵层； 

在所述黑矩阵层上制作第一电极。 

本发明还提供一种像素结构制作方法，该方法包括： 

在基板上制作薄膜晶体管； 

在所述薄膜晶体管上方制作黑矩阵层； 

在黑矩阵层上制作第二电极，将所述第二电极与所述薄膜晶体管的漏极连接； 

在所述第二电极上制作第一绝缘层； 

在所述第一绝缘层上制作第一电极。 

本发明还提供一种像素结构制作方法，该方法包括： 

在基板上制作薄膜晶体管，在制作所述薄膜晶体管栅极的同时，制作第三电极； 

在所述薄膜晶体管上方制作黑矩阵层； 

在所述黑矩阵层上制作第一电极，将所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极连接。 

本发明还提供一种阵列基板，包括栅线、数据线，以及由栅线、数据线围成的像素结构，所述像素结构为以上所述的像素结构。 

可选的，所述栅线、数据线上也形成有黑矩阵层。 

本发明还提供一种显示装置，所述显示装置包括以上所述的阵列基板。 

（三）有益效果 

本发明实施例的显示装置、阵列基板、像素结构及制作方法，通过将彩膜基板上的黑矩阵层制作到阵列基板像素结构的薄膜晶体管表面，代替了原有的钝化层，减少了制作工艺。另外，将彩膜基板上的黑矩阵层制作到阵列基板上，能够避免因彩膜基板与阵列基板对盒时带来的误差对开口率的影响提高了开口率。进一步，黑矩阵层制作在阵列基板上还能够使公共电极和数据线之间的寄生电容降低，从而降低了设备功耗。 

附图说明

图1是本发明像素结构一个实施例的剖视图； 

图2是本发明像素结构另一个实施例的剖视图； 

图3是本发明像素结构又一个实施例的剖视图； 

图4a～4c是本发明实施例一种像素结构制作方法工艺流程图； 

图5a～5e是本发明实施例一种像素结构制作方法工艺流程图； 

图6a～6c是本发明实施例一种像素结构制作方法工艺流程图. 

具体实施方式