[发明专利]显示装置、阵列基板、像素结构及制作方法

权利要求书

1.一种像素结构，包括薄膜晶体管及用于形成电场的第一电极，其特征在于，所述像素结构还包括黑矩阵层，所述黑矩阵层位于所述薄膜晶体管和所述第一电极之间。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括第二电极和第一绝缘层，所述第一绝缘层形成于第二电极上，所述第一电极形成于所述第一绝缘层上，所述第二电极与所述薄膜晶体管的漏电极连接。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，在形成所述薄膜晶体管的栅极的同时，还形成有用于与所述第一电极形成电场的第三电极，所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏电极连接。

4.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极为狭缝电极，所述第二电极为板状电极；或者，

所述第一电极与所述第二电极均为狭缝电极。

5.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极为狭缝电极，所述第三电极为板状电极；或者，

所述第一电极与所述第三电极均为狭缝电极。

6.如权利要求2或3任一项所述的像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管的结构自下而上为：栅极、第二绝缘层、有源层和源、漏电极，所述源、漏电极上形成所述黑矩阵。

7.如权利要求2或3任一项所述的像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管中的结构自下而上为：源电极、漏电极、有源层、第二绝缘层、栅极，所述栅极上形成所述黑矩阵。

8.一种像素结构制作方法，其特征在于，该方法包括：

在基板上制作薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管上方制作黑矩阵层；

在所述黑矩阵层上制作第一电极。

9.一种像素结构制作方法，其特征在于，该方法包括：

在基板上制作薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管上方制作黑矩阵层；

在黑矩阵层上制作第二电极，将所述第二电极与所述薄膜晶体管的漏电极连接；

在所述第二电极上制作第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上制作第一电极。

10.一种像素结构制作方法，其特征在于，

在基板上制作薄膜晶体管，在制作所述薄膜晶体管栅极的同时，制作第三电极；

在所述薄膜晶体管上方制作黑矩阵层；

在所述黑矩阵层上制作第一电极，将所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏电极连接。

11.一种阵列基板，包括栅线、数据线，以及由栅线、数据线围成的像素结构，其特征在于，所述像素结构为权利要求1-7任意一项所述的像素结构。

12.如权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线、数据线上也形成有黑矩阵层。

13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括所述权利要求11或12任意一项所述的阵列基板。