[发明专利]显示装置、阵列基板、像素结构及制作方法无效
申请号: | 201310362394.0 | 申请日: | 2013-08-19 |
公开(公告)号: | CN103487982A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 赵利军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 阵列 像素 结构 制作方法 | ||
1.一种像素结构,包括薄膜晶体管及用于形成电场的第一电极,其特征在于,所述像素结构还包括黑矩阵层,所述黑矩阵层位于所述薄膜晶体管和所述第一电极之间。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构还包括第二电极和第一绝缘层,所述第一绝缘层形成于第二电极上,所述第一电极形成于所述第一绝缘层上,所述第二电极与所述薄膜晶体管的漏电极连接。
3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,在形成所述薄膜晶体管的栅极的同时,还形成有用于与所述第一电极形成电场的第三电极,所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏电极连接。
4.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述第一电极为狭缝电极,所述第二电极为板状电极;或者,
所述第一电极与所述第二电极均为狭缝电极。
5.如权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述第一电极为狭缝电极,所述第三电极为板状电极;或者,
所述第一电极与所述第三电极均为狭缝电极。
6.如权利要求2或3任一项所述的像素结构,其特征在于,所述薄膜晶体管的结构自下而上为:栅极、第二绝缘层、有源层和源、漏电极,所述源、漏电极上形成所述黑矩阵。
7.如权利要求2或3任一项所述的像素结构,其特征在于,所述薄膜晶体管中的结构自下而上为:源电极、漏电极、有源层、第二绝缘层、栅极,所述栅极上形成所述黑矩阵。
8.一种像素结构制作方法,其特征在于,该方法包括:
在基板上制作薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上方制作黑矩阵层;
在所述黑矩阵层上制作第一电极。
9.一种像素结构制作方法,其特征在于,该方法包括:
在基板上制作薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上方制作黑矩阵层;
在黑矩阵层上制作第二电极,将所述第二电极与所述薄膜晶体管的漏电极连接;
在所述第二电极上制作第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上制作第一电极。
10.一种像素结构制作方法,其特征在于,
在基板上制作薄膜晶体管,在制作所述薄膜晶体管栅极的同时,制作第三电极;
在所述薄膜晶体管上方制作黑矩阵层;
在所述黑矩阵层上制作第一电极,将所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏电极连接。
11.一种阵列基板,包括栅线、数据线,以及由栅线、数据线围成的像素结构,其特征在于,所述像素结构为权利要求1-7任意一项所述的像素结构。
12.如权利要求11所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线、数据线上也形成有黑矩阵层。
13.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括所述权利要求11或12任意一项所述的阵列基板。
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