[发明专利]动态随机存取存储器装置有效
申请号: | 201310356317.4 | 申请日: | 2013-08-15 |
公开(公告)号: | CN103839579B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 李文明;张全仁 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 装置 | ||
1.一种动态随机存取存储器装置,其特征在于,包括:
一第一芯片,包括:
多个单元,该些单元以阵列方式排列;以及
多个硅通孔,该些硅通孔的第一端分别耦接该些单元;以及
一第二芯片,该第一芯片与该第二芯片相互重叠,该第二芯片包括:
多个储存电容,该些硅通孔的第二端分别耦接该些储存电容,
其中,各该些单元包括:
一晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,其第一端耦接多条比特线其中之一,其第二端耦接对应的硅通孔的第二端,且其控制端耦接多条字符线其中之一。
2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器装置,其特征在于,还包括:
一输入输出控制器,耦接该些单元。
3.一种动态随机存取存储器装置,其特征在于,包括:
一第一芯片,包括:
多个单元,该些单元以阵列方式排列;以及
一第二芯片,该第一芯片与该第二芯片相互重叠,该第二芯片包括:
多个硅通孔,该些硅通孔的第一端分别耦接该些单元;以及
多个储存电容,该些硅通孔的第二端分别耦接该些储存电容,
其中,各该些单元包括:
一晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,其第一端耦接多条比特线其中之一,其第二端耦接对应的硅通孔的第二端,且其控制端耦接多条字符线其中之一。
4.根据权利要求3所述的动态随机存取存储器装置,其特征在于,还包括:
一输入输出控制器,耦接该些单元。
5.根据权利要求3所述的动态随机存取存储器装置,其特征在于,该第二芯片的一非主动面朝向该第一芯片。
6.一种动态随机存取存储器装置,其特征在于,包括:
一第一芯片,包括:
多个单元,该些单元以阵列方式排列;
一第二芯片,该第一芯片与该第二芯片相互重叠,该第二芯片包括:
多个硅通孔,该些硅通孔的第一端分别耦接该些单元;以及
一第三芯片,该第二芯片与该第三芯片相互重叠,该第三芯片包括:
多个储存电容,该些硅通孔的第二端分别耦接该些储存电容,
其中,各该些单元包括:
一晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,其第一端耦接多条比特线其中之一,其第二端耦接对应的硅通孔的第二端,且其控制端耦接多条字符线其中之一。
7.根据权利要求6所述的动态随机存取存储器装置,其特征在于,还包括:
一输入输出控制器,耦接该些单元。
8.根据权利要求6所述的动态随机存取存储器装置,其特征在于,该第一芯片的一主动面朝向该第二芯片。
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