[发明专利]半导体发光器件及其制造方法、和发光设备

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年8月14日提交韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2012-0089024的优先权，在此通过引用方式将该申请的内容并入本文。

技术领域

本公开涉及半导体发光器件和发光设备。

背景技术

发光二极管（LED）是一种半导体发光器件，在对其施加电流时，该半导体发光器件由于p型半导体层与n型半导体层之间的结处的电子与空穴的复合而能够发出各种颜色的光。与基于灯丝的发光器件相比，这种半导体发光器件的优点在于使用寿命较长、功耗较低、启动操作性能优良等。这些因素不断地推进对半导体发光器件的需求。最近明显的是，大量的注意力已经投入到能够在蓝色短光波长区域内发光的第III族氮化物半导体。

因为使用氮化物半导体的LED的发展，技术的进步已经扩大了LED的应用范围。因此，正在进行许多研究以确定在通用照明设备和电气照明光源中如何使用氮化物半导体装置。氮化物发光器件已经被用作在低电流、低输出的移动产品中所采用的部件。氮化物发光器件的应用范围已经进一步扩大到包括高电流-高输出产品的领域。

因此，已经着手在提高发光效率和半导体发光器件质量方面进行了研究，具体地说，已经研发了具有各种电极结构的发光器件以提高其光输出率和可靠性。

发明内容

根据本申请的一个方面，提供了一种提高电流分布效率并且明显降低电极与半导体层之间分层缺陷的发生的半导体发光器件。

本公开的一个方面还提供了一种降低工作电压并且提高光输出的半导体发光器件。

本公开的其他方面还提供了半导体发光器件以及具有增强散热效率和可靠性的发光设备的制造方法。

本公开的目的不限于此，并且即使没有明确提及，从本申请的实施例和权利要求推导出来的目的和效果也包括在本公开的范围之内。

根据本公开的一个方面，一种半导体发光器件包括：第一导电半导体层；有源层，其布置在所述第一导电半导体层的第一部分上；第二导电半导体层，其布置在所述有源层上；第一内部电极，其布置在所述第一导电半导体层的与所述第一部分分开的第二部分上；第二内部电极，其布置在所述第二导电半导体层的至少一部分上并且与所述第二导电半导体层连接；绝缘部件，其分别布置在所述第二部分的一部分、所述第一内部电极以及所述第二内部电极上，并且具有用于暴露出所述第一内部电极和所述第二内部电极中的每一个电极的至少一部分的开口区域；以及第一焊盘电极和第二焊盘电极，布置在所述绝缘部件上并且分别与通过所述开口区域暴露出来的所述第一内部电极和所述第二内部电极中的相应一个电极连接。

所述第一内部电极可以由彼此分开并且布置在所述第一导电半导体层的第二部分上的多个电极形成，并且所述第一焊盘电极可以与形成所述第一内部电极的多个电极中的电极相互连接。所述绝缘部件可以暴露出形成所述第一内部电极的多个电极中的各个电极的至少一部分。

所述第一内部电极可以包括多个第一区域和连接所述多个第一区域的多个第二区域，并且每个所述第一区域的宽度均大于每个所述第二区域的宽度。

所述多个第一区域可以排列成多行和多列，并且每个所述第二区域对排列在相同行中的第一区域进行连接。

所述第一内部电极可以包括第三区域，所述第三区域对多行之中的排列在不同行中的第一区域进行连接。所述第一内部电极可以形成为在所述第一区域和所述第二区域中具有相同的厚度。所述绝缘部件可以不覆盖所述第一内部电极的上表面。所述第一内部电极和所述第一焊盘电极可以由相同的材料形成。

根据本发明的另一个方面，一种制造半导体发光器件的方法包括：通过去除第二导电半导体层和有源层的至少一部分以暴露出第一导电半导体层的第一部分而在第一导电半导体层、形成在所述第一导电半导体层上的有源层和形成在所述有源层上的第二导电半导体层中形成沟槽。通过用电极材料填充所述沟槽的一部分而形成与所述第一导电半导体层的第一部分连接的第一内部电极。在所述第二导电半导体层的至少一部分上形成与所述第二导电半导体层连接的第二内部电极。通过用绝缘材料填充所述沟槽的其余部分而形成绝缘部件，其中，所述绝缘部件分别布置在所述第二部分的一部分、所述第一内部电极以及所述第二内部电极上，并且形成为具有用于暴露出所述第一内部电极和所述第二内部电极中的每一个电极的至少一部分的开口区域。然后，在所述绝缘部件上形成第一焊盘电极和第二焊盘电极，并且所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极分别与通过所述开口区域暴露出来的所述第一内部电极和所述第二内部电极中的相应一个电极连接。