[发明专利]半导体发光器件及其制造方法、和发光设备

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

第一导电半导体层；

有源层，其布置在所述第一导电半导体层的第一部分上；

第二导电半导体层，其布置在所述有源层上；

第一内部电极，其布置在所述第一导电半导体层的与所述第一部分分开的第二部分上；

第二内部电极，其布置在所述第二导电半导体层的至少一部分上并且与所述第二导电半导体层连接；

绝缘部件，其分别布置在所述第二部分的一部分、所述第一内部电极以及所述第二内部电极上，并且具有用于暴露出所述第一内部电极和所述第二内部电极中的每一个电极的至少一部分的开口区域；以及

第一焊盘电极和第二焊盘电极，布置在所述绝缘部件上并且分别与通过所述开口区域暴露出来的所述第一内部电极和所述第二内部电极中的相应一个电极连接。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中：

所述第一内部电极由彼此分开并且布置在所述第一导电半导体层的第二部分上的多个电极形成，并且

所述第一焊盘电极与形成所述第一内部电极的多个电极中的电极相互连接。

3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述绝缘部件暴露出形成所述第一内部电极的多个电极中的各个电极的至少一部分。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中：

所述第一内部电极包括多个第一区域和连接所述多个第一区域的多个第二区域，并且

每个所述第一区域的宽度均大于每个所述第二区域的宽度。

5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中，所述多个第一区域排列成多行和多列，并且每个所述第二区域对排列在相同行中的第一区域进行连接。

6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中，所述第一内部电极包括第三区域，所述第三区域对多行之中的排列在不同行中的第一区域进行连接。

7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中，所述第一内部电极形成为在其所述第一区域和所述第二区域中具有相同的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述绝缘部件不覆盖所述第一内部电极的上表面。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一内部电极和所述第一焊盘电极由相同的材料形成。

10.一种制造半导体发光器件的方法，包括：

通过去除第二导电半导体层和有源层的至少一部分以暴露出第一导电半导体层的第一部分而在第一导电半导体层、形成在所述第一导电半导体层上的有源层和形成在所述有源层上的第二导电半导体层中形成沟槽；

通过用电极材料填充所述沟槽的一部分而形成与所述第一导电半导体层的第一部分连接的第一内部电极；

在所述第二导电半导体层的至少一部分上形成与所述第二导电半导体层连接的第二内部电极；

通过用绝缘材料填充所述沟槽的其余部分而形成绝缘部件，其中，所述绝缘部件分别布置在所述第二部分的一部分、所述第一内部电极以及所述第二内部电极上，并且形成为具有用于暴露出所述第一内部电极和所述第二内部电极中的每一个电极的至少一部分的开口区域；以及

在所述绝缘部件上形成第一焊盘电极和第二焊盘电极，并且所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极分别与通过所述开口区域暴露出来的所述第一内部电极和所述第二内部电极中的相应一个电极连接。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一内部电极形成为具有与所述沟槽的形状相对应的形状。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述沟槽包括彼此分开的多个第一区域和连接所述多个第一区域的多个第二区域，并且每个所述第一区域的宽度均大于每个所述第二区域的宽度。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述沟槽包括第三区域，所述第三区域对多行之中的排列在不同行中的第一区域进行连接。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一内部电极形成为填充所述第三区域的一部分。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一内部电极形成为填充所述第一区域的一部分和所述第二区域的一部分。