[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310351422.9 | 申请日： | 2013-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN104377132A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
在衬底上形成牺牲栅堆叠；
在牺牲栅堆叠的侧壁上形成栅侧墙；
在衬底上形成层间电介质层，并对其平坦化，以露出牺牲栅堆叠；
部分地回蚀牺牲栅堆叠以形成开口；
对所得的开口进行扩大，以使开口呈现从靠近衬底一侧向远离衬底一侧逐渐增大的形状；以及
去除剩余的牺牲栅堆叠，并在栅侧墙内侧形成栅堆叠。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，进行扩大包括：进行原子和/或离子轰击。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，原子和/或离子轰击包括：等离子体溅射。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，扩大后的开口自对准于剩余的牺牲栅堆叠。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，栅堆叠包括栅介质层和栅导体层，该方法还包括：
部分地回蚀栅导体层；
在栅导体层上形成电介质层，以覆盖回蚀后的栅导体层。
6.一种半导体器件，包括：
衬底；
在衬底上形成的栅堆叠以及位于栅堆叠侧壁上的栅侧墙，
其中，栅侧墙所限定的体积至少在其远离衬底一侧的一部分中呈现从靠近衬底一侧向远离衬底一侧逐渐增大的形状。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，栅堆叠包括栅介质层和栅导体层，其中栅导体层相对于栅侧墙远离衬底一侧的端部凹进，且该半导体器件还包括覆盖栅导体层的电介质层。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：
在衬底上形成的鳍，其中栅堆叠与鳍相交。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：
在鳍与栅堆叠相交的部分下方的区域中形成的穿通阻挡部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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