[发明专利]一种阵列基板及其制备方法及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种阵列基板及其制备方法及显示装置。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)是利用设置在液晶层上电场强度的变化，改变液晶分子的旋转的程度，从而控制透光的强弱来显示图像的。一般来讲，一块完整的液晶显示面板必须具有由背光模块组、偏光片、上基板(通常是彩膜基板)和下基板(通常是阵列基板)以及由它们两块基板组成的盒中填充的液晶分子层构成。

阵列基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线，数据线和栅线围设形成矩阵形式排列的像素单元。每个像素单元包括TFT开关和像素电极；其中，TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层；栅电极连接栅线，源电极连接数据线，漏电极连接像素电极，有源层形成在源、漏电极与栅电极之间。

阵列基板上一般还形成有公共电极，用于和像素电极形成电场，公共电极与像素电极之间的电场强度变化控制着液晶分子的旋转的程度。

ADS－DS(ADvanced Super Dimension Switch)，简称ADS，即高级超维场转换技术，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。如图1所示，在ADS模式的TFT阵列基板110的公共电极111与像素电极112的存储电容（Cst）非常大，几乎占到整个像素区域，特别是大尺寸产品，由于像素面积变大后，存储电容会变得更大，通常为了适应这么大的存储电容，需要设计更大的薄膜晶体管进行充满，较大的薄膜晶体管一是会占用像素面积，二是薄膜晶体管本身的耦合电容Cgd，Cgs等也会变大，从而影响画面显示，从而在设计上受到很多限制，一般情况下，解决这样的问题最直接的方法之一是ADS型像素电极112和公共电极111形成为如图2所示的状态，但目前的工艺是无法直接实现的，原因是像素电极112和公共电极111均是透明电极，在通过工艺设备进行曝光、显影等过程中，透明薄膜的对位效果是有限的，设备根本无法做到真正的如图2所示的结构，如果因为工艺对位偏差导致像素电极与公共电极在一个有效显示区域内相对位移不均匀，比如一部分区域像素电极112相对于公共电极111向左偏，而另一部分区域像素电极112相对于公共电极111向右偏，则会出现Cst区域间不均，反映到画面中，则会出现一个显示器上各个区域之间的显示灰度不均匀，人眼感觉到的就是画面区域间显示亮度不均导致画面失真，是非常致命的显示缺陷，而现有技术中没有很好的解决方案。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制备方法及显示装置,可以使阵列基板的像素电极与公共电极的交叠为0，减小公共电极与像素电极的存储电容，保证画面品质。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：

在基板上形成有狭缝结构的公共电极，以及与所述公共电极零交叠的狭缝结构的像素电极。

其中，在基板上形成有狭缝结构的公共电极，以及与所述公共电极零交叠的狭缝结构的像素电极的步骤包括：

在基板上形成栅级、栅线、栅绝缘层、半导体层、数据线、源/漏极、钝化层；

在形成有钝化层的基板上形成狭缝结构的保护层和钝化层的图形；

在形成有所述保护层和钝化层的图形的基板上，形成透明导电薄膜，所述透明导电薄膜用于形成位于所述保护层上的狭缝结构的公共电极，以及位于所述狭缝结构中的狭缝区域的像素电极。

其中，在形成有钝化层的基板上形成狭缝结构的保护层和钝化层的图形的步骤包括：

在所述钝化层上形成保护层；

对所述保护层以及所述钝化层进行构图，得到具有狭缝结构的保护层和钝化层的图形。

其中，对所述保护层以及所述钝化层进行构图，得到具有狭缝结构的保护层和钝化层的图形的步骤包括：

在所述保护层上形成光刻胶；其中，所述保护层为无机绝缘树脂材料；

利用普通构图工艺，依次对所述保护层和钝化层进行刻蚀，得到具有狭缝结构的保护层和钝化层的图形。

其中，对所述保护层以及所述钝化层进行构图，得到具有狭缝结构的保护层和钝化层的图形的步骤包括：