[发明专利]一种阵列基板及其制备方法及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在基板上形成有狭缝结构的公共电极，以及与所述公共电极零交叠的狭缝结构的像素电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在基板上形成有狭缝结构的公共电极，以及与所述公共电极零交叠的狭缝结构的像素电极的步骤包括：

在基板上形成栅级、栅线、栅绝缘层、半导体层、数据线、源/漏极、钝化层；

在形成有钝化层的基板上形成狭缝结构的保护层和钝化层的图形；

在形成有所述保护层和钝化层的图形的基板上，形成透明导电薄膜，所述透明导电薄膜用于形成位于所述保护层上的狭缝结构的公共电极，以及位于所述狭缝结构中的狭缝区域的像素电极。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成有钝化层的基板上形成狭缝结构的保护层和钝化层的图形的步骤包括：

在所述钝化层上形成保护层；

对所述保护层以及所述钝化层进行构图，得到具有狭缝结构的保护层和钝化层的图形。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，对所述保护层以及所述钝化层进行构图，得到具有狭缝结构的保护层和钝化层的图形的步骤包括：

在所述保护层上形成光刻胶；其中，所述保护层为无机绝缘树脂材料；

利用普通构图工艺，依次对所述保护层和钝化层进行刻蚀，得到具有狭缝结构的保护层和钝化层的图形。

5.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，对所述保护层以及所述钝化层进行构图，得到具有狭缝结构的保护层和钝化层的图形的步骤包括：

通过曝光、显影工艺形成狭缝结构的保护层，其中，所述保护层为有机感光树脂材料；

直接对狭缝结构暴露出的钝化层进行刻蚀，得到具有狭缝结构的保护层和钝化层的图形。

6.根据权利要求1所述阵列基板的制备方法，其特征在于，在基板上形成有狭缝结构的公共电极，以及与所述公共电极零交叠的狭缝结构的像素电极的步骤包括：

在基板上依次形成半导体层、源/漏极和数据线的图形；

在形成有半导体层、源/漏电极和数据线的图形的基板上，依次形成栅极、栅线和栅绝缘层的图形；

在形成有栅极、栅线和栅绝缘层的图形的基板上形成保护层；

利用构图工艺对保护层和栅绝缘层进行处理，形成狭缝结构的保护层和栅绝缘层的图形；

在形成有所述保护层和栅绝缘层的图形的基板上，形成透明导电薄膜，所述透明导电薄膜用于形成位于所述保护层上的狭缝结构的公共电极，以及位于所述狭缝结构中的狭缝区域的像素电极。

7.根据权利要求2或6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成透明导电薄膜后还包括：

通过构图工艺对所述半导体层、源/漏极上方的透明导电薄膜去除，得到最终的公共电极和像素电极的图形。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；以及

形成于所述基板上的狭缝结构的公共电极，以及与所述公共电极零交叠的狭缝结构的像素电极。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括底栅结构的薄膜晶体管或者顶栅结构的薄膜晶体管。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述底栅结构的薄膜晶体管包括：形成于所述基板上的栅极、栅线、栅绝缘层，以及形成于所述栅绝缘层上的半导体层、数据线、源/漏极；

所述基板上还形成有位于所述半导体层、源/漏极之上的狭缝结构的保护层和钝化层的图形，且所述保护层和钝化层为叠层结构。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，在保护层和钝化层的叠层结构中，保护层比钝化层的宽度宽。

12.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述顶栅结构的薄膜晶体管包括：形成于所述基板上的半导体层、数据线、源/漏极，以及形成于源/漏电极和数据线上的栅极、栅线和栅绝缘层；

所述基板上还形成有位于所述栅极、栅线上的狭缝结构的保护层和栅绝缘层的图形，且所述保护层和栅绝缘层为叠层结构。

13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，在保护层和栅绝缘层的叠层结构中，保护层比栅绝缘层的宽度宽。