[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201310346650.7 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN104009092A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 朴承铉;宋俊昊;李宰学 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
栅电极；
设置在栅电极上的栅极绝缘层；
设置在栅极绝缘层上的半导体；
设置在半导体的沟道上的蚀刻阻挡件；
设置在半导体上的源电极；以及
设置在半导体上的漏电极，
其中，源电极和漏电极中的至少一个不与蚀刻阻挡件叠置，以及
其中，蚀刻阻挡件与半导体的沟道的至少一个尺寸基本上相同。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括：
导电层，直接设置在半导体的未被蚀刻阻挡件覆盖的第一部分上，
其中，导电层电连接到源电极或漏电极。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，源电极和漏电极中的不与蚀刻阻挡件叠置的所述至少一个与蚀刻阻挡件隔开并且不与半导体的第二部分叠置，第二部分包括在第一部分中。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，导电层直接地至少设置在半导体的第二部分上。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述导电层还包括：
置于半导体与源电极或漏电极之间的部分。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体包括多晶硅或氧化物半导体材料。
7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述导电层包括设置在半导体与源电极或漏电极之间的部分。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体包括多晶硅或氧化物半导体材料。
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