[发明专利]半导体芯片封装模组、封装结构及其封装方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体制造领域，尤其涉及一种半导体芯片封装模组、封装结构及其封装方法。

背景技术

随着电子产业的迅速发展,市场对电子产品的尺寸要求越来越趋于轻、小、薄化；相应地，对电子产品中的半导体芯片封装提出了更高的要求。

目前现有技术中，通常是采用引线键合（Wire Bonding）方式对半导体芯片进行封装（如图1所示），现有的晶圆级封装结构包括：芯片10、基板20，其中，芯片10粘合在基板20的上表面，并通过金线30与基板20电性连接，基板20下表面设有锡球40。

发明内容

本发明的目的在于提供一种减小封装体积的半导体芯片封装模组、封装结构及其封装方法。

其中，本发明一实施方式的半导体芯片封装结构，包括：半导体芯片，所述芯片一表面设有第一电连接件和与所述第一电连接件相应的功能区；

基板，其包括上表面及与上表面相背的下表面；

所述封装结构还包括：

金属凸块，电性连接所述第一电连接件和所述基板下表面的导电层； 

第二电连接件，电性连接所述基板下表面的导电层，其厚度大于所述半导体芯片和所述金属凸块的厚度之和。

作为本发明的进一步改进，所述基板上设有通孔，所述通孔的位置与所述功能区对应。

作为本发明的进一步改进，所述第二电连接件的厚度与所述半导体芯片和所述金属凸块的厚度之和的差值大于等于100微米。

作为本发明的进一步改进，所述金属凸块的材质为金。 

相应地，本发明一实施方式的半导体封装模组，包括一半导体芯片封装结构、与所述半导体芯片封装结构配合的透镜及支架，所述半导体芯片封装结构包括：

半导体芯片，所述芯片一表面设有第一电连接件和与所述第一电连接件相应的功能区；

基板，其包括上表面及与上表面相背的下表面，所述基板上设有通孔，所述通孔的位置与所述功能区对应；所述封装结构还包括：

金属凸块，电性连接所述第一电连接件和所述基板下表面的导电层； 

第二电连接件，电性连接所述基板下表面的导电层，其厚度大于所述半导体芯片和所述金属凸块的厚度之和。

作为本发明的进一步改进，所述透镜的焦距等于透镜中心到基板上表面的距离、基板的厚度、基板下表面到功能区中心的距离之和。

作为本发明的进一步改进，所述第二电连接件的厚度与所述半导体芯片和所述金属凸块的厚度之和的差值大于等于100微米。

相应地，本发明一实施方式的半导体模组的封装方法，所述封装方法由以下步骤组成：

提供一个基板，其包括上表面及与上表面相背的下表面，在所述基板上形成若干通孔，以及在所述基板下表面形成导电层；

将一表面设有若干第一电连接件和若干功能区的芯片通过金属凸块与所述基板下表面的导电层电性连接，所述若干功能区与所述若干通孔位置相对应；

在所述基板的上表面形成若干支架，以及与若干支架配合的若干透镜；

在所述基板下表面形成与导电层电性连接的若干第二电连接件，所述第二电连接件的厚度大于所述半导体芯片和所述金属凸块的厚度之和。

作为本发明的进一步改进，所述第二电连接件的厚度与所述半导体芯片和所述金属凸块的厚度之和的差值大于等于100微米。

与现有技术相比，本发明可通过较为简单的工艺，有效减小封装体积，满足市场对电子产品的尺寸的轻、小、薄化需求。

附图说明

图1是背景技术中半导体芯片的封装结构剖面示意图。

图2是本发明一实施方式中半导体芯片封装结构剖面示意图。

图3是本发明一实施方式中半导体封装模组结构剖面示意图。

图4是本发明一实施方式中半导体模组封装方法步骤流程图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的具体实施方式对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。

如图2所示，在本发明一实施方式中，所述半导体芯片封装结构包括半导体芯片10、基板20、金属凸块30，以及第二电连接件40。