[发明专利]半导体芯片封装模组、封装结构及其封装方法无效

专利信息
申请号: 201310345929.3 申请日: 2013-08-09
公开(公告)号: CN103400817A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 王之奇;喻琼;王蔚 申请(专利权)人: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 杨林洁
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 芯片 封装 模组 结构 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体芯片封装结构,所述封装结构包括:

半导体芯片,所述芯片一表面设有第一电连接件和与所述第一电连接件相应的功能区;

基板,其包括上表面及与上表面相背的下表面;其特征在于,所述封装结构还包括:

金属凸块,电性连接所述第一电连接件和所述基板下表面的导电层; 

第二电连接件,电性连接所述基板下表面的导电层,其厚度大于所述半导体芯片和所述金属凸块的厚度之和。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构,其特征在于,所述基板上设有通孔,所述通孔的位置与所述功能区对应。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构,其特征在于,所述第二电连接件的厚度与所述半导体芯片和所述金属凸块的厚度之和的差值大于等于100微米。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构,其特征在于,所述金属凸块的材质为金。

5.一种半导体封装模组,包括一半导体芯片封装结构、与所述半导体芯片封装结构配合的透镜及支架,所述半导体芯片封装结构包括:

半导体芯片,所述芯片一表面设有第一电连接件和与所述第一电连接件相应的功能区;

基板,其包括上表面及与上表面相背的下表面,所述基板上设有通孔,所述通孔的位置与所述功能区对应;其特征在于,所述封装结构还包括:

金属凸块,电性连接所述第一电连接件和所述基板下表面的导电层; 

第二电连接件,电性连接所述基板下表面的导电层,其厚度大于所述半导体芯片和所述金属凸块的厚度之和。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片半导体封装模组,其特征在于,所述透镜的焦距等于透镜中心到基板上表面的距离、基板的厚度、基板下表面到功能区中心的距离之和。

7.根据权利要求5所述的半导体封装模组,其特征在于,所述第二电连接件的厚度与所述半导体芯片和所述金属凸块的厚度之和的差值大于等于100微米。

8.一种半导体模组的封装方法,其特征在于,所述封装方法由以下步骤组成:

提供一个基板,其包括上表面及与上表面相背的下表面,在所述基板上形成若干通孔,以及在所述基板下表面形成导电层;

将一表面设有若干第一电连接件和若干功能区的芯片通过金属凸块与所述基板下表面的导电层电性连接,所述若干功能区与所述若干通孔位置相对应;

在所述基板的上表面形成若干支架,以及与若干支架配合的若干透镜;

在所述基板下表面形成与导电层电性连接的若干第二电连接件,所述第二电连接件的厚度大于所述半导体芯片和所述金属凸块的厚度之和。

9.根据权利要求8所述的封装方法,其特征在于,所述第二电连接件的厚度与所述半导体芯片和所述金属凸块的厚度之和的差值大于等于100微米。

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