[发明专利]一种用于对经过激光刻蚀清边后TCO基板玻璃的清洗工艺

说明书

技术领域

本发明属于薄膜太阳能电池制造技术领域，涉及薄膜太阳能电池生产过程中的清洗工艺，具体地说是对进行第四次P4激光刻蚀清边之后的透明TCO基板玻璃的清洗工艺。

背景技术

现有的非晶硅薄膜太阳能电池生产线上对进行第四次P4激光刻蚀清边之后的透明TCO基板玻璃的清洗机都是沿用TFT生产线的清洗机，清洗工艺也是沿用TFT生产线的清洗工艺。薄膜太阳能电池在生产过程中，至少需要进行四次清洗，分别为：对磨边倒角之后的透明TCO基板玻璃的清洗、透明TCO基板玻璃镀膜后第一次激光刻蚀后的清洗、叠片前即进行第四次P4激光刻蚀清边之后的透明TCO基板玻璃的清洗、及背板玻璃的清洗，传统做法是利用TFT生产线上的清洗工艺使用一台清洗机完成四次清洗。而在薄膜太阳能电池生产过程中不同的工序后玻璃表面会残留不同的杂质及残留物，其清洗的工艺及方法必然各不相同。显然这样根本不能满足清洁度的需求，不能根据杂质及残留物的不同而有的放矢。利用TFT生产线上的清洗机对进行第四次P4激光刻蚀清边之后的透明TCO基板玻璃清洗不仅清洁度达不到要求，而且容易损坏TCO膜层，也会影响后续的镀膜工艺，影响整个电池的发电效率。加之，TFT生产线上的清洗机工艺比较复杂，流程长，成本高，投资大，也使得非晶硅薄膜太阳能电池的制造成本大大增加。

发明内容

本发明为了解决传统的清洗工艺不能满足对进行第四次P4激光刻蚀清边之后的透明TCO基板玻璃的清洗需求的技术问题，设计了一种用于对经过激光刻蚀清边后TCO基板玻璃的清洗工艺，利用该清洗工艺能够去除经过P4激光切边后的TCO玻璃表面残留的微粒、碎屑等杂质，能够有效提高生产线后续工艺的基板和背板玻璃叠片质量，对提高电池的效率起到至关重要的作用。

本发明采用的技术方案是：一种用于对经过激光刻蚀清边后TCO基板玻璃的清洗工艺，关键在于：本工艺是借助在TCO基板玻璃传送辊上依次设置的预喷淋清洗腔室、高压喷淋清洗腔室、缓冲腔室、二次喷淋清洗腔室、漂洗腔室及烘干腔室实现的，所述的工艺步骤中包括：

A、预喷淋清洗：将预喷淋清洗腔室控制在常温状态下，将去离子水作为清洗液、将在TCO基板玻璃传送辊上、下方90-110mm处分别设置的一组喷嘴组件作为清洗工具进行预喷淋，其中，每组喷嘴组件中包括18-25个扇形喷嘴，每个喷嘴在0.12-0.16Mpa压力下的流量为1-1.1 L/Min；

B、高压喷淋清洗：将高压喷淋清洗腔室控制在常温状态下，以去离子水作为清洗剂、将在传送辊上方90-110mm处分别设置的一组喷嘴组件作为清洗工具进行喷淋清洗，其中，每组喷嘴组件中包括18-25个扇形喷嘴，每个喷嘴在2-3.5Mpa压力下的流量为1.81-2.37 L/Min；

C、沥水：将缓冲腔室控制在常温状态，借助传送辊将基板玻璃从缓冲腔室的入口送至出口，再此过程中，基板玻璃上残留的水分落至腔室底部以清除高压喷淋清洗后残留的水分；

D、二次喷淋清洗：将二次喷淋清洗腔室控制在常温下，将去离子水作为喷淋液、将在传送辊上、下方90-110mm处分别设置的一组喷嘴组件作为清洗工具进行喷淋，其中，每组喷嘴组件中包括18-25个扇形喷嘴，每个喷嘴在0.3-0.4Mpa压力下的流量为1-1.15 L/Min；

E、漂洗：在漂洗腔室中，将TCO基板玻璃上、下表面漂净；

F、烘干：在烘干腔室中，将TCO基板玻璃上、下表面烘干，完成整个清洗工艺过程。

所述的二次喷淋清洗腔室的数量为2个，依次设置于缓冲腔室之后、漂洗腔室之前。

所述的漂洗腔室的数量为2个，依次设置于再次喷淋清洗腔室之后、烘干腔室之前，将漂洗腔室控制在常温下，以去离子水作为漂洗剂、将经过再次喷淋工序后的TCO基板玻璃传送辊上、下方90-110mm处分别设置的一组喷嘴组件作为清洗工具进行漂洗，其中，每组喷嘴组件中包括15-20个扇形喷嘴，每个喷嘴在0.12-0.16Mpa压力下的流量为1-1.15 L/Min。

所述的烘干腔室的数量为2个，依次设置于漂洗腔室之后，在此基础上，所述的烘干工序步骤中包括：

E1、一级风刀吹扫烘干：在第一烘干腔室中进行，利用传送辊上、下方0-8mm处分别设置的一级风刀进行烘干，其中，一级风刀与TCO基板玻璃行进方向的夹角为60°-80°，吹出的风温度为25~50℃，风量为200~700m³ /h；