[发明专利]光阻层剥离方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶面板加工领域，尤其涉及一种光阻层剥离方法及装置。

背景技术

现今科技蓬勃发展，信息商品种类推陈出新，满足了大众不同的需求。早期显示器多半为阴极射线管（Cathode Ray Tube，CRT）显示器，由于其体积庞大与耗电量大，而且所产生的辐射对于长时间使用显示器的使用者而言，有危害身体的问题。因此，现今市面上的显示器渐渐将由液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）取代旧有的CRT显示器。

液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组（backlight module）。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。由于液晶面板本身不发光，需要借由背光模组提供的光源来正常显示影像，因此，背光模组成为液晶显示器的关键零组件之一。背光模组依照光源入射位置的不同分成侧入式背光模组与直下式背光模组两种。直下式背光模组是将发光光源例如CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp，阴极萤光灯管)或LED(Light Emitting Diode，发光二极管)设置在液晶面板后方，直接形成面光源提供给液晶面板。而侧入式背光模组是将背光源LED灯条（Lightbar）设于液晶面板侧后方的背板边缘，LED灯条发出的光线从导光板（LGP，Light Guide Plate）一侧的入光面进入导光板，经反射和扩散后从导光板出光面射出，在经由光学膜片组，以形成面光源提供给液晶显示面板。

液晶面板的生产包括“前段Array制程”、“中段Cell制程”、“后段模组组装”三个复杂的工艺。其中，前段Array制程是在玻璃基板上形成前期设计好的ITO（Indium tin oxide，铟锡氧化物）电极图形；中段Cell制程是将TFT（薄膜晶体管）基板与CF（彩色滤光片）基板贴合，并在两者之间注入液晶材料，形成液晶基板；后段模组组装是将液晶基板的驱动IC压合与印刷电路板的整合。

前段Array制程主要包括“成膜”、“光刻”、“蚀刻”及“光阻层剥离”四大部分。其中，光阻层剥离制程一般是使用专门的剥离设备及剥离液对刻蚀完毕后剩下的光阻层（光刻胶）进行去除，现有技术中，该光阻层剥离制程较为复杂且费时，不利于降低人工成本，同时，该制程需要使用专门的剥离设备及剥离液，且所需剥离设备的数量较大，生产成本较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光阻层剥离方法，利用高能量紫外光曝光光阻层，再利用显影液对曝光后的光阻层进行清洗，达到去除光阻层的目的，

提高设备利用率，降低生产成本。

本发明的另一目的在于光阻层剥离装置，结构简单，将对光阻层清洗的设备与对光阻层剥离的设备一体设置，提高设备利用率，降低生产成本。

为实现上述目的，本发明提供一种光阻层剥离方法，包括以下步骤：

步骤1、提供蚀刻完毕且待去除光阻层的基板；

步骤2、采用高能量紫外光照射待去除的光阻层，对基板进行全面曝光；

步骤3、采用显影液对曝光后的基板进行显影并清洗；

步骤4、采用水气二流体、去离子水对显影液清洗后的基板上残留的显影液进行清除；

步骤5、对清除残留显影液后的基板进行风刀清洗，风刀清洗后，采用热板对该基板进行干燥处理，完成光阻层的去除。

所述显影液为四甲基氢氧化铵溶液。

所述高能量紫外光由高能紫外光照射设备产生，所述高能量紫外光的波长为50nm-400nm。

所述高能量紫外光的波长为172nm。

若所述待去除的光阻层的厚度为1.5um，则所述高能量紫外光照射能量大于35mj/cm²；若所述待去除的光阻层的厚度为2.2um，则所述高能量紫外光照射能量大于50mj/cm²；若所述待去除的光阻层的厚度为3.0um，则所述高能量紫外光照射能量大于100mj/cm²；若所述待去除的光阻层的厚度为4.0um，则所述高能量紫外光照射能量大于200mj/cm²。

所述待去除光阻层的基板包括一光阻层，所述光阻层含有感光剂，所述步骤2中高能量紫外光使该感光剂发生酯化，并使酯化后的感光剂与水分子结合形成羧酸酯化合物。