[发明专利]光阻层剥离方法及装置

权利要求书

1.一种光阻层剥离方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、提供蚀刻完毕且待去除光阻层的基板（20）；

步骤2、采用高能量紫外光照射待去除的光阻层，对基板（20）进行全面曝光；

步骤3、采用显影液对曝光后的基板（20）进行显影并清洗；

步骤4、采用水气二流体、去离子水对显影液清洗后的基板（20）上残留的显影液进行清除；

步骤5、对清除残留显影液后的基板（20）进行风刀清洗，风刀清洗后，采用热板（27）对该基板（20）进行干燥处理，完成光阻层的去除。

2.如权利要求1所述的光阻层剥离方法，其特征在于，所述显影液为四甲基氢氧化铵溶液。

3.如权利要求2所述的光阻层剥离方法，其特征在于，所述高能量紫外光由高能紫外光照射设备（22）产生，所述高能量紫外光的波长为50nm-400nm。

4.如权利要求3所述的光阻层剥离方法，其特征在于，所述高能量紫外光的波长为172nm。

5.如权利要求3所述的光阻层剥离方法，其特征在于，若所述待去除的光阻层的厚度为1.5um，则所述高能量紫外光照射能量大于35mj/cm²；若所述待去除的光阻层的厚度为2.2um，则所述高能量紫外光照射能量大于50mj/cm²；若所述待去除的光阻层的厚度为3.0um，则所述高能量紫外光照射能量大于100mj/cm²；若所述待去除的光阻层的厚度为4.0um，则所述高能量紫外光照射能量大于200mj/cm²。

6.如权利要求2所述的光阻层剥离方法，其特征在于，所述待去除光阻层的基板（20）包括一光阻层，所述光阻层含有感光剂，所述步骤2中高能量紫外光使该感光剂发生酯化，并使酯化后的感光剂与水分子结合形成羧酸酯化合物。

7.如权利要求6所述的光阻层剥离方法，其特征在于，所述步骤3中所述羧酸酯化合物与四甲基氢氧化铵反应，形成易溶于水的亲水性化合物，从而使得光阻层完全溶解于显影液中。

8.如权利要求1所述的光阻层剥离方法，其特征在于，所述步骤3中采用喷淋式显影设备（23）对曝光后的基板（20）进行显影并清洗。

9.如权利要求1所述的光阻层剥离方法，其特征在于，所述步骤3中用到显影液的质量百分浓度大于2.38%且小于5%；所述步骤3中显影时间大于60秒且小于120秒。

10.一种光阻层剥离装置，其特征在于，包括用于传送待去除光阻层的基板（20）的传送带（21）、用于产生高能量紫外光的高能紫外光照射设备（22）、用于提供显影液的喷淋式显影设备（23）、用于提供水气二流体及压缩空气的水气二流体喷洒设备（24）、用于提供去离子水的去离子水喷淋设备（25）、用于风刀清洗的风刀（26）及用于干燥处理的热板（27），所述高能紫外光照射设备（22）、喷淋式显影设备（23）、水气二流体喷洒设备（24）、去离子水喷淋设备（25）、风刀（26）及热板（27）依次排列设置且位于所述传送带（21）上方。