[发明专利]一种具有锁模功能的半导体激光器结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光电子学技术领域，具体涉及一种具有锁模功能的半导体激光器结构。

背景技术

传统的边发射半导体激光器广泛的用于泵浦固体激光器，但由于其自身转换效率及产热等性能，造成在工作的过程中，激光器有源区温度升高，使激射光谱发生红移，导致在泵浦的过程中与固体激光器的吸收峰发生偏离，吸收效率下降，系统的稳定性也会显著下降。如果使用外围温度控制系统，不但增加了成本，而且系统的集成度也会下降。

为解决这一问题，提出一种具有锁模功能的半导体激光器结构，使用全介质滤波膜对某一特定的波段进行高透，其他波段进行高反，达到选模的效果，由于在激光器腔面镀制全介质滤波膜，整个膜系吸收较小，而且集成度高，成本低。

发明内容

为了解决传统边发射半导体激光器用于侧面泵浦过程中温度发生漂移，与吸收峰值失配的问题，本发明提出一种具有锁模功能的半导体激光器结构。

1、一种具有锁模功能的半导体激光器结构，由半导体激光器芯片，芯片一端的高反射膜，以及另一端出光面的滤波膜组成，高反射膜其膜系结构为sub|(LH)^9|air，滤波膜其膜系结构为Sub|H(LH)^84L(HL)^8HL|air，光学膜系中的L为1/4的光学厚度的SiO₂层，H为1/4的光学厚度的TiO₂层。

本发明的有益效果是：无需增加外围温度控制系统，只需在报道提激光器芯片出光面镀制特殊薄膜，即可实现纵模的选择。使在工作过程中波长稳定，提高泵浦的吸收效率及系统可靠性。

附图说明

图1为本发明的具有锁模功能的半导体激光器结构示意图；

图2为本发明设计的前腔面滤波膜的光谱曲线图。

具体实施方式

具体实施方式一

如图1-2所示，本发明的具有锁模功能的半导体激光器结构选择808nm半导体激光器芯片作为传统芯片，其条宽为500μm，厚度为200μm，长为2mm。

在激光器芯片的一端使用蒸镀技术制备高反膜，其膜系结构为sub|(LH)^9|air，对中心波长±40nm的波段进行高反，所述光学膜系中的L为1/4的光学厚度的SiO₂层，H为1/4的光学厚度的TiO₂层。

将激光器芯片的另一端出光面同样使用蒸镀技术制备滤波膜，其膜系结构为Sub|H(LH)^84L(HL)^8HL|air，对中心波长±0.1nm的波段进行纵模选择，其在中心波长处的透过率为93%，半宽为0.2nm。

滤波膜的光谱曲线如图2所示。

具体实施方式二，本发明可应用于不同激射波长的半导体激光器，需要将镀膜的中心波长随激射波长变化即可，如制备中心波长为980nm的滤光膜，其H层光学厚度为980nm的1/4，同样L层光学厚度为980nm的1/4，为245nm。对不同单管数量、不同条宽和不同腔长的半导体激光器芯片，只需增加镀膜夹具的容量，将芯片需要镀制滤光膜一侧放好进行镀膜即可。也可以用于不同数量的半导体激光器线阵，只需要改变镀膜夹具的长度，将整个线阵加持牢固即可。