[发明专利]内存测试系统及方法在审

专利信息
申请号: 201310342628.5 申请日: 2013-08-07
公开(公告)号: CN104346275A 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: 彭爽 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G06F11/36 分类号: G06F11/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 内存 测试 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种内存测试系统,运行于计算机中,该计算机包括内存及操作系统,其特征在于,所述的内存测试系统包括:

初始化模块,用于在计算机的主板上通过GPIO设置一个跳帽,以及将计算机上电进行系统初始化操作;

电平检测模块,用于检测计算机的主板上GPIO的电平是低电平还是高电平,当GPIO的电平是高电平时,将操作系统使用的虚拟地址映射到内存的第一物理地址上,当GPIO的电平是低电平时,将操作系统使用的虚拟地址映射到内存的第二物理地址上;

内存测试模块,用于执行内存测试程序指令来测试没有被映射的内存部分,以及检测检测内存是否全部被测试到;以及

电平修改模块,用于当还有部分内存没有被测试到,通过修改GPIO上的跳帽设置来改变GPIO的电平。

2.如权利要求1所述的内存测试系统,其特征在于,所述的内存测试模块还用于判断被测试的内存部分是否测试成功,当被测试的内存部分测试不成功时,在所述计算机的显示器上显示内存没有通过测试的提示信息。

3.如权利要求2所述的内存测试系统,其特征在于,当操作系统使用的虚拟地址映射到内存的第一物理地址时,所述的被测试的内存部分则为第二物理地址的内存部分,当操作系统使用的虚拟地址映射到内存的第二物理地址时,所述的被测试的内存部分则为第一物理地址的内存部分。

4.如权利要求1所述的内存测试系统,其特征在于,当GPIO的电平为低电平时,所述的电平修改模块则使GPIO上的跳帽失效来将GPIO的电平修改为高电平。

5.如权利要求1所述的内存测试系统,其特征在于,当GPIO的电平为高电平时,所述的电平修改模块则使GPIO上的跳帽有效来将GPIO的电平修改为低电平。

6.一种内存测试方法,应用于计算机中,该计算机包括内存及操作系统,其特征在于,该方法包括步骤:

在计算机的主板上通过GPIO设置一个跳帽,以及将计算机上电进行系统初始化操作;

检测计算机的主板上GPIO的电平是低电平还是高电平;

当GPIO的电平是高电平时,将操作系统使用的虚拟地址映射到内存的第一物理地址上;

当GPIO的电平是低电平时,将操作系统使用的虚拟地址映射到内存的第二物理地址上;

执行内存测试程序指令来测试没有被映射的内存部分;

检测内存是否全部被测试到;以及

当还有内存没有被测试到,通过修改GPIO上的跳帽设置来改变GPIO的电平。

7.如权利要求6所述的内存测试方法,其特征在于,该方法还包括步骤:

判断被测试的内存部分是否测试成功;以及

当被测试的内存部分测试不成功时,在所述计算机的显示器上显示内存没有通过测试的提示信息。

8.如权利要求7所述的内存测试方法,其特征在于,当操作系统使用的虚拟地址映射到内存的第一物理地址时,所述被测试的内存部分则为第二物理地址的内存部分,当操作系统使用的虚拟地址映射到内存的第二物理地址时,所述被测试的内存部分则为第一物理地址的内存部分。

9.如权利要求6所述的内存测试方法,其特征在于,当GPIO的电平为低电平时,则使所述GPIO上的跳帽失效来将GPIO的电平修改为高电平。

10.如权利要求6所述的内存测试方法,其特征在于,当GPIO的电平为高电平时,则使所述GPIO上的跳帽有效来将GPIO的电平修改为低电平。

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