[发明专利]清洗液生成装置及方法、基板清洗装置及方法

说明书

技术领域

本发明的实施方式涉及清洗液生成装置、清洗液生成方法、基板清洗装置以及基板清洗方法。

背景技术

基板清洗装置是向基板供给清洗液、对该基板进行清洗处理（例如，抗蚀剂层剥离、颗粒去除、金属去除等）的装置。该基板清洗装置广泛应用于例如半导体装置、液晶显示装置等的制造工序。在半导体装置的制造工序中，作为对涂覆于半导体基板的抗蚀剂层进行剥离的技术使用如下技术：通过硫酸和双氧水（又称作过氧化氢水）混合而成的SPM（Sulfuric acid and Hydrogen Peroxide Mixture：硫酸和双氧水的混合物）处理液来去除抗蚀剂层。

使用该SPM处理液进行的半导体基板的单片清洗具有将硫酸和双氧水在半导体基板上混合的方法、将硫酸和双氧水混合后喷到半导体基板上的方法等。在上述利用SPM处理液进行的清洗之后，对半导体基板进行水洗以及干燥后，或者在上述水洗之后再利用其它的清洗药液进行再次清洗并进行水洗以及干燥后，将半导体基板搬运到下一工序。

然而，仅利用上述那样的SPM处理液进行清洗时，清洗不充分，因此需要提高清洗性能。例如，在向半导体基板的表面进行了离子注入的情况下，在该离子注入之后，抗蚀剂膜的表面硬化（变质）。通过上述的SPM处理液难以去除该硬化的抗蚀剂层，在半导体基板上会残留抗蚀剂的残渣。

发明内容

本发明要解决的问题是，提供一种能提高清洗性能的清洗液生成装置、清洗液生成方法、基板清洗装置以及基板清洗方法。

实施方式的清洗液生成装置包括：混合部，在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液，通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气，使该生成的混合液的压力升高；以及气泡产生部，使上述混合液的被上述混合部升高了的压力释放，从而使上述混合液中产生多个微小气泡。

实施方式的清洗液生成方法包括：在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液，通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气，使该生成的混合液的压力升高的工序；和使上述混合液的升高了的压力释放，从而使上述混合液中产生多个微小气泡的工序。

实施方式的基板清洗装置包括：混合部，在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液，通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气，使该生成的混合液的压力升高；气泡产生部，使上述混合液的被上述混合部升高了的压力释放，从而使上述混合液中产生多个微小气泡；以及清洗部，通过含有由上述气泡产生部产生的上述多个微小气泡的混合液，对基板进行清洗。

实施方式的基板清洗方法包括：在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液，通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气，使该生成的混合液的压力升高的工序；使上述混合液的升高了的压力释放，从而使上述混合液中产生多个微小气泡的工序；和通过含有所产生的上述多个微小气泡的混合液对基板进行清洗的工序。

根据上述清洗液生成装置、清洗液生成方法、基板清洗装置或者基板清洗方法，能够提高清洗性能。

附图说明

图1是表示一实施方式的基板清洗装置的概略结构的图。

图2是表示图1所示的基板清洗装置所具有的混合部以及气泡产生部的概略结构的图。

图3是表示图1所示的基板清洗装置进行的基板清洗工序（包括清洗液生成工序在内）的流程的流程图。

具体实施方式

参照附图，对一实施方式进行说明。

如图1所示，实施方式的基板清洗装置1由用于生成清洗液的清洗液生成装置2、使用由该清洗液生成装置2生成的清洗液对基板W进行清洗的清洗部3以及对各部进行控制的控制部4构成。

清洗液生成装置2包括：加热并供给作为酸性液体的一例的硫酸的第1供给部11、供给双氧水的第2供给部12、将自第1供给部11供给来的硫酸与自第2供给部12供给来的双氧水混合的混合部13、使利用由该混合部13生成的混合液中产生多个微小气泡的气泡产生部14、以及将含有由该气泡产生部14产生的多个微小气泡的混合液喷出的喷出配管15。

第1供给部11具有：用于贮存硫酸的罐等的第1贮存部11a、与该第1贮存部118相连接的循环配管11b、从该循环配管11b向混合部13供给硫酸的第1供给配管11c、向混合部13压送硫酸的第1压送部11d、以及对在循环配管11b中流动的硫酸进行加热的加热部11e。