[发明专利]清洗液生成装置及方法、基板清洗装置及方法有效
| 申请号: | 201310341712.5 | 申请日: | 2013-08-07 |
| 公开(公告)号: | CN103579053A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
| 发明(设计)人: | 宫崎邦浩;林航之介 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/304;H01L21/027 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 戚宏梅;杨谦 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 清洗 生成 装置 方法 | ||
1.一种清洗液生成装置,其特征在于,包括:
混合部,在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液,通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气,使该生成的混合液的压力升高;以及
气泡产生部,使上述混合液的被上述混合部升高了的压力释放,从而使上述混合液中产生多个微小气泡。
2.如权利要求1所述的清洗液生成装置,其特征在于,
该清洗液生成装置还包括:
加热部,对上述液体进行加热;
上述混合部将被上述加热部加热了的上述液体与上述双氧水混合。
3.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置,其特征在于,
该清洗液生成装置还包括:
第1压送部,向上述混合部压送上述液体;
第2压送部,向上述混合部压送上述双氧水,
上述混合部是将由上述第1压送部压送来的上述液体与由上述第2压送部压送来的上述双氧水混合的混合配管。
4.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置,其特征在于,
该清洗液生成装置还包括:
第1供给配管,向上述混合部供给上述液体;
第2供给配管,向上述混合部供给上述双氧水,
上述混合部的内径比上述第1供给配管的内径以及上述第2供给配管的内径大。
5.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置,其特征在于,
上述混合部具有对上述液体和上述双氧水进行搅拌的搅拌构造。
6.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置,其特征在于,
上述气泡产生部具有:
孔构件,形成有供上述混合液通过的贯通孔;以及
调整机构,调整上述贯通孔的开口度。
7.如权利要求6所述的清洗液生成装置,其特征在于,
该清洗液生成装置还包括:
检测部,检测上述混合部内的上述混合液的温度及压力的两者或其中任一者;以及
控制部,根据由上述检测部检测出的上述温度及压力的两者或者其中的任一者,通过上述调整机构控制上述贯通孔的开口度。
8.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置,其特征在于,
该清洗液生成装置还包括:
第1供给配管,向上述混合部供给上述液体;
第2供给配管,向上述混合部供给上述双氧水;以及
喷出配管,喷出含有由上述气泡产生部产生的上述多个微小气泡的混合液;
上述喷出配管的内径比上述第1供给配管的内径以及上述第2供给配管的内径大。
9.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置,其特征在于,
该清洗液生成装置还包括:
喷出配管,喷出含有由上述气泡产生部产生的上述多个微小气泡的混合液;
上述喷出配管具有至少一个45度以上的弯曲部。
10.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置,其特征在于,
该清洗液生成装置还包括:
喷出配管,喷出含有由上述气泡产生部产生的上述多个微小气泡的混合液;以及
网构件,设置于上述喷出配管的中途。
11.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置,其特征在于,
上述混合部由陶瓷材料形成。
12.一种清洗液生成方法,其特征在于,包括:
在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液,通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气,使该生成的混合液的压力升高的工序;和
使上述混合液的升高了的压力释放,从而使上述混合液中产生多个微小气泡的工序。
13.一种基板清洗装置,其特征在于,包括:
混合部,在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液,通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气,使该生成的混合液的压力升高;
气泡产生部,使上述混合液的被上述混合部升高了的压力释放,从而使上述混合液中产生多个微小气泡;以及
清洗部,通过含有由上述气泡产生部产生的上述多个微小气泡的混合液,对基板进行清洗。
14.一种基板清洗方法,其特征在于,包括:
在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液,通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气,使该生成的混合液的压力升高的工序;
使上述混合液的升高了的压力释放,从而使上述混合液中产生多个微小气泡的工序;和
通过含有所产生的上述多个微小气泡的混合液对基板进行清洗的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





