[发明专利]晶圆缺陷自动目检的方法有效

专利信息
申请号: 201310339457.0 申请日: 2013-08-02
公开(公告)号: CN103424410A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 郭贤权;许向辉;顾珍 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 竺路玲
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 缺陷 自动 方法
【说明书】:

 

技术领域

本发明涉及一种晶圆缺陷检测方法,尤其涉及一种晶圆缺陷自动目检的方法。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件的结构越来越复杂,因此,对半导体器件的缺陷检测也显得越来越重要。

业界主要采用晶边缺陷扫描机台进行晶圆的晶边缺陷扫描,该机台对晶圆边缘的上部、侧边和下部都能够进行扫描,其对晶圆边缘每个部分进行扫描后获得各自的缺陷扫描图(即晶边的信息图),然后通过数据计算和阈值设定来得到缺陷位置。

目前,在对晶圆进行缺陷扫描之后所进行的目检环节中,大多采用人工目检的方式,其原因是由于目前的所采用的晶边缺陷扫描机台大多都不具备自动目检的功能,因此,当对晶圆进行完晶边的扫描后,需要将机台切换至人工目检模式,通过选择机台刚刚进行扫描后所获得的缺陷扫描图像,在机台的光学摄像头下人工调整好焦距和亮度,对晶圆边缘的不同位置一张一张地进行拍照,并对这些照片进行人工的目检,由于其所拍照的位置相对不固定,所得到的照片较难与扫描所得的缺陷扫描图进行对应,因而导致了整个目检过程往往复杂而又冗长,且极易出现错误。

中国专利(CN 102053089 A)公开了一种自动目检方法,该自动目检方法包括:获取待检测晶片的电性测试图像;对所述电性测试图像划分区域;对所述电性测试图像的各区域内电性测试合格的芯片进行选择性自动目检。该发明并没有涉及上述对上述问题的相关解决方法。

可见,目前尚不存在一种采用晶边缺陷扫描机台对晶圆进行自动化目检的方法。

发明内容

鉴于上述问题,本发明提供一种晶圆缺陷自动目检的方法。

本发明解决技术问题所采用的技术方案为:

一种晶圆缺陷自动目检的方法,其中,所述方法包括:

提供一表面具有缺陷的晶圆;

获取所述晶圆表面的缺陷扫描图;

根据所述缺陷扫描图确定该晶圆上缺陷对应的位置区域;

获取所述晶圆上缺陷对应的位置区域的光学照片;

将所述光学照片与所述缺陷扫描图进行比对,以获取所述缺陷的形貌。

所述的晶圆缺陷自动目检的方法,其中,所述方法还包括:

通过旋转所述晶圆,并对所述晶圆的一个表面进行多次拍照,以获取若干张具有重叠区域的光学照片;

根据所述重叠区域,将所述若干张光学照片合成为一张长幅光学照片;

其中,所述长幅光学照片中包含距离晶圆边缘相同距离范围内的同一表面上的晶圆形貌。

所述的晶圆缺陷自动目检的方法,其中,所述长幅照片是包含晶圆上部表面形貌的第一长幅光学照片;

或者是包含晶圆侧部表面形貌的第二长幅光学照片;

或者是包含晶圆下部表面形貌的第三长幅光学照片。

所述的晶圆缺陷自动目检的方法,其中,所述缺陷扫描图包括:

对晶圆上部表面进行扫描后的第一缺陷扫描图;

对晶圆侧部表面进行扫描后的第二缺陷扫描图;

对晶圆下部表面进行扫描后的第三缺陷扫描图。

所述的晶圆缺陷自动目检的方法,其中,所述第一长幅光学照片与所述第一缺陷扫描图的尺寸相同;

所述第二长幅光学照片与所述第二缺陷扫描图的尺寸相同;

所述第三长幅光学照片与所述第三缺陷扫描图的尺寸相同。

所述的晶圆缺陷自动目检的方法,其中,旋转所述晶圆自转的速度为0.5~1r/min。

所述的晶圆缺陷自动目检的方法,其中,对所述晶圆的一个表面进行多次拍照的区域为距离晶圆边缘的距离小于10mm的环形区域。

所述的晶圆缺陷自动目检方法,其中,采用晶边缺陷扫描机台获取所述缺陷扫描图。

所述的晶圆缺陷自动目检方法,其中,采用晶边缺陷扫描机台中的光学摄像头对所述晶圆进行拍照。

上述技术方案具有如下优点或有益效果:

本发明通过在扫描之后对晶边缺陷扫描机台继续加以利用,获取不同角度下的晶圆边缘的光学照片,并将这些照片通过重叠信息拼接技术进行合成,以获得与扫描得到的缺陷扫描图尺寸相同的光学照片,从而通过该光学照片能够直观地对缺陷扫描图中的缺陷位置处所对应的缺陷新貌进行观测,便于识别缺陷的种类和成因,同时也提高了目检的效率;此外,由于本发明方法可基于自动化的系统中得以实现,因此进一步节省了大量的人力成本。

附图说明

参考所附附图,以更加充分的描述本发明的实施例。然而,所附附图仅用于说明和阐述,并不构成对本发明范围的限制。

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