[发明专利]金刚石制造方法和DC等离子体增强CVD装置

权利要求书

1.一种用于制造金刚石的方法，包括通过在用于固定所述衬底的平台电极与电压施加电极之间施加DC电压的DC等离子体增强CVD方法，在衬底上从包括至少含碳气体和氢气的气体混合物生长金刚石的步骤，其中

在通过施加DC电压生长金刚石的步骤期间，以预定时序在所述平台电极与所述电压施加电极之间施加与用于金刚石生长的DC电压极性相反的单脉冲电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在施加用于金刚石生长的DC电压的步骤期间，所述平台电极构成阳极以及所述电压施加电极构成阴极。

3.根据权利要求1所述的方法，其中当所述平台电极与所述电压施加电极之间的充电电压达到用于金刚石生长的所述DC电压的至少1/3时，施加所述相反极性的单脉冲电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中以直至每100μs1个脉冲的恒定周期施加所述相反极性的单脉冲电压。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述相反极性的单脉冲电压的值对应于用于金刚石生长的DC电压乘以1/30至1的因数。

6.一种DC等离子体增强CVD装置，包括：

真空室，

组合设置在所述真空室中的电压施加电极和用于固定衬底的平台电极，

DC电源，用于在所述平台电极与所述电压施加电极之间施加DC电压，

脉冲电压叠加单元，用于在所述DC电源的输出电压上叠加脉冲电压，以及

进给装置，用于将反应性气体注入所述真空室中，

其中通过在所述平台电极与所述电压施加电极之间施加DC电压，在所述衬底上生长金刚石，并且在所述金刚石生长期间以预定时序执行电压控制，从而使得在所述平台电极与所述电压施加电极之间施加与用于金刚石生长的DC电压极性相反的单脉冲电压。