[发明专利]制备窄边框显示装置的方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种制备窄边框显示装置的方法。

背景技术

液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）因其体积小、功耗低、无辐射等特点已成为目前平板显示器中的主流产品，并且对纤薄、轻质的要求日益增强。

显示装置的窄边框设计是显示领域发展的一个趋势。目前TFT-LCD(薄膜晶体管LCD）显示产品的窄边框设计方法，大多采用聚酰亚胺膜（PI膜）与封框胶（Seal）重叠（Overlap）的方式来实现。但是，由于PI膜与封框胶粘结性较差，容易产生信赖性方面的不良，如粘结力弱、因相容性差导致的污染析出物而产生的残像问题，最终PI膜与封框胶不可控制的因素导致窄边框难以达到理想产品的设计要求。而采用PI膜与封框胶不重叠的方式的窄边框设计，虽然避免了上述的问题，但是该方法不能最大限度的实现窄边框。所以，PI膜与封框胶重叠是一个最佳的解决方案，而改善PI膜与封框胶的粘结性也是一个新的课题。

当前通常采用的实现窄边框的方法是直接在PI膜上重叠地涂覆封框胶，经固化后形成封合。但采用这种方法获得的封合强度差，容易出现液晶的穿刺、污染物的析出、信赖性不良等问题。

发明内容

为此，本发明旨在提供一种制备超窄边框显示装置的方法，在不变动显示装置的设计基础上利用辐射改性的方式，在封框胶和PI膜之间实现了较强的粘结性。根据本发明的方法能够有效的利用PI膜与封框胶重叠的方式实现了6～11mm的窄边框显示装置的制备，又能防止液晶的穿刺、污染物的析出、信赖性不良等问题。

本发明的目的是提供一种制备窄边框显示装置的方法，所述方法包括：

辐射处理位于基板的封合位置处的聚酰亚胺膜，使所述位于基板的封合位置处的聚酰亚胺膜产生自由基；

将封框胶涂覆在所述封合位置处，并进行固化。

其中，所述聚酰亚胺膜具有选自-COO-、-OH和-NH₂的第一活性基团，优选具有位于支链上的-COO-。

所述封框胶具有选自-COOH、-OH和-NH₂的第二活性基团。

根据本发明的一个实施方式，所述辐射处理用发射线性紫外光的辐射源进行。所述辐射源通过辐射遮光罩对所述基板的封合位置进行辐射处理。通过调节所述辐射遮光罩与所述基板之间的距离，来使所述辐射遮光罩的透光部分与所述基板的封合位置对齐。

所述线性紫外光的波长优选为254nm和/或313nm。

在根据本发明的方法中，所述线性紫外光的强度可为1.0～4.0J/cm²。

根据本发明的一个实施方式，所述第一活性基团经辐射后发生裂解产生自由基。进行所述固化步骤时，所述自由基与所述封框胶的第二活性基团形成化学键合。

所述基板为阵列基板或彩膜基板。

根据本发明的另一实施方式，所述方法包括在进行所述辐射处理步骤之前，对所述聚酰亚胺膜进行取向处理。

在本发明提供的制备窄边框显示装置的方法中，对封框胶涂覆区域（封合位置）内的PI膜表层分子进行辐射改性，其裂解产生的自由基和极性能与封框胶组分的活性基团既能在固化前达到良好的浸润性和吸附性，又能在固化时发生PI膜-封框胶的化学键合，其产生的分子内部键合力远大于分子间作用力，从而实现聚酰亚胺膜与封框胶之间粘结强度的增强。通过上述方法，可以实现6～11mm窄边框显示装置的制备，并保证其良好的显示性能和稳定性。

附图说明

图1为根据本发明的窄边框显示装置的聚酰亚胺膜与封框胶重叠的示意图；

图2为根据本发明的方法中所用辐射遮光罩的结构示意图；

图3为根据本发明实施方式的对聚酰亚胺膜进行辐射改性的示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供一种制备窄边框显示装置的方法，包括：辐射处理位于基板的封合位置处的聚酰亚胺膜，使所述位于基板的封合位置处的聚酰亚胺膜产生自由基；接着将封框胶涂覆在所述封合位置处，并进行固化，此时聚酰亚胺膜的自由基与封框胶的活性基团发生反应，使得聚酰亚胺膜与封框胶之间产生较强的粘结力。