[发明专利]制备窄边框显示装置的方法有效
申请号: | 201310337313.1 | 申请日: | 2013-08-05 |
公开(公告)号: | CN104345501B | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 李建;张伟;李鸿鹏;宋省勳 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1339 | 分类号: | G02F1/1339;G02F1/1337;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人: | 任媛,蒋雅洁 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 边框 显示装置 方法 | ||
1.一种制备窄边框显示装置的方法,其特征在于,所述方法包括:
辐射处理位于基板的封合位置处的聚酰亚胺膜,使所述位于基板的封合位置处的聚酰亚胺膜产生自由基;
将封框胶涂覆在所述封合位置处,并进行固化;
进行所述固化步骤时,所述自由基与所述封框胶的第二活性基团形成化学键合,所述第二活性基团选自-COOH和-NH2。
2.根据权利要求1所述的制备窄边框显示装置的方法,其特征在于,所述聚酰亚胺膜具有选自-COO-、-OH和-NH2的第一活性基团。
3.根据权利要求1所述的制备窄边框显示装置的方法,其特征在于,所述聚酰亚胺膜具有位于支链上的-COO-。
4.根据权利要求1所述的制备窄边框显示装置的方法,其特征在于,所述辐射处理用发射线性紫外光的辐射源进行。
5.根据权利要求4所述的制备窄边框显示装置的方法,其特征在于,所述线性紫外光的波长为254nm,或313nm,或254nm和313nm。
6.根据权利要求5所述的制备窄边框显示装置的方法,其特征在于,所述线性紫外光的强度为1.0~4.0J/cm2。
7.根据权利要求2所述的制备窄边框显示装置的方法,其特征在于,所述第一活性基团经辐射后产生自由基。
8.根据权利要求1所述的制备窄边框显示装置的方法,其特征在于,所述基板为阵列基板或彩膜基板。
9.根据权利要求1所述的制备窄边框显示装置的方法,其特征在于,所述方法包括在进行所述辐射处理步骤之前,对所述聚酰亚胺膜进行取向处理。
10.根据权利要求4所述的制备窄边框显示装置的方法,其特征在于,所述辐射源通过辐射遮光罩对所述基板的封合位置进行辐射处理。
11.根据权利要求10所述的制备窄边框显示装置的方法,其特征在于,通过调节所述辐射遮光罩与所述基板之间的距离,来使所述辐射遮光罩的透光部分与所述基板的封合位置对齐。
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