[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。

背景技术

导电薄膜电极是有机电致发光器件（OLED）的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，氧化镉的掺杂半导体是近年来研究最广泛的透明导电薄膜材料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率，要求透明导电薄膜阳极具有较高的表面功函数。而铝、镓和铟掺杂的氧化锌的功函数一般只有4.3eV，经过UV光辐射或臭氧等处理之后也只能达到4.5～5.1eV，与一般的有机发光层的HOMO能级（典型的为5.7～6.3eV）还有比较大的能级差距，造成载流子注入势垒的增加，妨碍发光效率的提高。

发明内容

基于此，有必要针对导电薄膜功函数较低的问题，提供一种功函数较高的导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。

一种导电薄膜，包括层叠的MgO层，导电层及Co₃O₄层，其中导电层的材料选自金，银，铜和铂中的一种。

所述MgO层的厚度为40nm～160nm，所述导电层的厚度为5nm～40nm，所述Co₃O₄层的厚度为1nm～10nm。

一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：

将MgO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

在所述衬底表面溅镀MgO层，溅镀所述MgO层的工艺参数为：基靶间距为45mm～85mm，溅射功率为80W～200W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为200℃～700℃，得到MgO薄膜基板；

然后将MgO薄膜基板放入蒸镀设备腔体中，调节真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，

在所述MgO层表面蒸镀导电层，蒸镀所述导电层的工艺参数为：蒸镀速率0.5～3nm/s，蒸镀时间10～80s，所述导电层的材料选自金，银，铜和铂中的一种；

在所述导电层表面蒸镀Co₃O₄层，蒸镀所述Co₃O₄层的工艺参数为：蒸镀速率0.2～2nm/s，蒸镀时间5～50s，及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

所述MgO靶材由以下步骤得到：将MgO粉体在800℃～1400℃下烧结制成靶材。

所述MgO层的厚度为40nm～160nm，所述导电层的厚度为5nm～40nm，所述Co₃O₄层的厚度为1nm～10nm。

一种有机电致发光器件的基底，包括依次层叠的衬底、层叠的MgO层，导电层及Co₃O₄层，其中导电层的材料选自金，银，铜和铂中的一种。

所述MgO层的厚度为40nm～160nm，所述导电层的厚度为5nm～40nm，所述Co₃O₄层的厚度为1nm～10nm。

一种有机电致发光器件的基底的制备方法，包括以下步骤：

将MgO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

在所述衬底表面溅镀MgO层，溅镀所述MgO层的工艺参数为：基靶间距为45mm～85mm，溅射功率为80W～200W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为200℃～700℃，得到MgO薄膜基板；

然后将MgO薄膜基板放入蒸镀设备腔体中，调节真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，

在所述MgO层表面蒸镀导电层，蒸镀所述导电层的工艺参数为：蒸镀速率0.5～3nm/s，蒸镀时间10～80s，所述导电层的材料选自金，银，铜和铂中的一种；