[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的MgO层，导电层及Co₃O₄层，其中导电层的材料选自金，银，铜和铂中的一种。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述MgO层的厚度为40nm～160nm，所述导电层的厚度为5nm～40nm，所述Co₃O₄层的厚度为1nm～10nm。

3.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将MgO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

在所述衬底表面溅镀MgO层，溅镀所述MgO层的工艺参数为：基靶间距为45mm～85mm，溅射功率为80W～200W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为200℃～700℃，得到MgO薄膜基板；

然后将MgO薄膜基板放入蒸镀设备腔体中，调节真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，

在所述MgO层表面蒸镀导电层，蒸镀所述导电层的工艺参数为：蒸镀速率0.5～3nm/s，蒸镀时间10～80s，所述导电层的材料选自金，银，铜和铂中的一种；

在所述导电层表面蒸镀Co₃O₄层，蒸镀所述Co₃O₄层的工艺参数为：蒸镀速率0.2～2nm/s，蒸镀时间5～50s，及

剥离所述衬底，得到所述叠层导电薄膜。

4.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述MgO靶材由以下步骤得到：将MgO粉体在800℃～1400℃下烧结制成靶材。

5.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述MgO层的厚度为40nm～160nm，所述导电层的厚度为5nm～40nm，所述Co₃O₄层的厚度为1nm～10nm。

6.一种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、层叠的MgO层，导电层及Co₃O₄层，其中导电层的材料选自金，银，铜和铂中的一种。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的基底，其特征在于，所述MgO层的厚度为40nm～160nm，所述导电层的厚度为5nm～40nm，所述Co₃O₄层的厚度为1nm～10nm。

8.一种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将MgO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

在所述衬底表面溅镀MgO层，溅镀所述MgO层的工艺参数为：基靶间距为45mm～85mm，溅射功率为80W～200W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为200℃～700℃，得到MgO薄膜基板；

然后将MgO薄膜基板放入蒸镀设备腔体中，调节真空腔体的真空度为1.0×10^-3P_a～1.0×10^-6Pa，

在所述MgO层表面蒸镀导电层，蒸镀所述导电层的工艺参数为：蒸镀速率0.5～3nm/s，蒸镀时间10～80s，所述导电层的材料选自金，银，铜和铂中的一种；

在所述导电层表面蒸镀Co₃O₄层，蒸镀所述Co₃O₄层的工艺参数为：蒸镀速率0.2～2nm/s，蒸镀时间5～50s。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，所述MgO靶材由以下步骤得到：将MgO粉体在800℃～1400℃下烧结制成靶材。

10.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极包括层叠的MgO层，导电层及Co₃O₄层，其中导电层的材料选自金，银，铜和铂中的一种。