[发明专利]对电压转换具有高免疫性的ESD保护电路

权利要求书

1.一种保护电路，其包括：

第一端子；

第二端子；

保护晶体管，其具有控制端子并且具有耦合在所述第一端子和所述第二端子之间的电流路径；

电流镜，其具有耦合到所述控制端子的输出端子并且具有输入端子；以及

延迟电路，其连接在所述第一端子和所述第二端子之间并且具有连接到所述输入端子的延迟输出端子。

2.根据权利要求1所述的保护电路，其中所述保护晶体管为n沟道晶体管。

3.根据权利要求1所述的保护电路，其中所述保护晶体管为双极晶体管。

4.根据权利要求1所述的保护电路，其中所述电流镜包括:

第一p沟道晶体管，其源极连接到所述第一端子并且栅极连接到漏极端子；以及

第二p沟道晶体管，其源极连接到所述第一端子、栅极连接到所述第一p沟道晶体管的栅极并且漏极连接到所述控制端子。

5.根据权利要求4所述的保护电路，其中所述电流镜包括:

第一n沟道晶体管，其漏极连接到所述第一p沟道晶体管的漏极并且栅极连接到所述控制端子；以及

第二n沟道晶体管，其漏极连接到所述第二p沟道晶体管的漏极并且栅极连接到所述输入端子。

6.根据权利要求1所述的保护电路，其中所述延迟电路包括:

电阻器，其连接在所述第一端子和所述延迟输出端子之间；以及

电容器，其连接在所述延迟输出端子和所述第二端子之间。

7.根据权利要求1所述的保护电路，其中所述延迟电路包括:

延迟晶体管，其具有连接在所述第一端子和所述延迟输出端子之间的电流路径；以及

电容器，其连接在所述延迟输出端子和所述第二端子之间。

8.根据权利要求1所述的保护电路，其包括连接在所述控制端子和所述第二端子之间的电阻器。

9.一种保护集成电路的方法，其包括：

形成保护晶体管，所述保护晶体管具有控制端子并且具有与所述集成电路并联耦合的电流路径；

响应于所述第一保护晶体管的电流路径两端的电压，激活所述保护晶体管；以及

响应于延迟电路，维持所述保护晶体管的激活状态。

10.根据权利要求9所述的方法，其中形成保护晶体管的步骤包括形成n沟道晶体管。

11.根据权利要求9所述的方法，其中形成保护晶体管的步骤包括形成NPN双极晶体管。

12.根据权利要求9所述的方法，其包括响应于与电阻器串联连接并且与所述保护晶体管的电流路径并联连接的电容器，激活所述保护晶体管，其中所述电阻器和所述电容器的公共端子连接到所述控制端子。

13.根据权利要求9所述的方法，其中维持激活状态的步骤包括将来自电流源的电流施加到所述保护晶体管的控制端子。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述电流源为电流镜。

15.根据权利要求9所述的方法，其中所述延迟电路由电阻器与电容器串联连接而形成。

16.一种保护电路，其包括：

第一端子；

第二端子；

保护晶体管，其具有控制端子并且具有耦合在所述第一端子和所述第二端子之间的电流路径；

激活电路，其被设置为响应于所述第一端子和所述第二端子之间的电压而激活所述保护晶体管；以及

延迟电路，其被设置为维持所述保护晶体管的激活状态持续预定时间。

17.根据权利要求16所述的保护电路，其包括电流镜，所述电流镜具有耦合到所述控制端子的输出端子并且具有耦合到所述延迟电路的输入端子。

18.根据权利要求16所述的保护电路，其中所述保护晶体管为n沟道晶体管。

19.根据权利要求16所述的保护电路，其中所述延迟电路包括:

电阻器，其连接在所述第一端子和延迟输出端子之间；以及

电容器，其连接在所述延迟输出端子和所述第二端子之间。

20.根据权利要求16所述的保护电路，其中所述延迟电路包括:

延迟晶体管，其具有连接在所述第一端子和延迟输出端子之间的电流路径；以及

电容器，其连接在所述延迟输出端子和所述第二端子之间。