[发明专利]半导体组件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体组件及其制造方法，特别是有关于一种切割道横跨有桥接部的半导体组件及其制造方法。

背景技术

现有的直通硅穿孔(Through Silicon via,TSV)的技术，是将垂直电路设置在硅基板中，提供具有较高区域密度且无侧接线路的3D电路结构，在直通硅穿孔的制造过程中，硅基板先蚀刻穿孔，接着填入如铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等金属导体，当直通硅穿孔形成之后，接着盖覆钝化层，以作为硅基板和导体之间的绝缘材料。

随着半导体制程的微型化，直通硅穿孔所制作的开口越来越小，覆盖在所述硅基板上的钝化层也需相应修改，进而采用高解析度的钝化材料(High Resolution Passivation Material)，以盖覆在所述硅基板表面或数层的堆叠。所述钝化层成形之后，切割道两侧的钝化层的侧缘较容易形成陡坡，进而产生与钝化层顶面垂直的壁面，由于所述钝化层的表面因切割道而中断，且在通过溅射(sputtering)等物理沉积方式形成种子层(seed layer)时，种子层无法附着在所述垂直的壁面上，导致所述钝化层的表面在后续利用种子层进行电镀制作凸块底金属层(UBM)或重分布(RDL)电路时会有不连续的情形，即一晶圆上的部份芯片区无法成功形成种子层，因而影响在所述钝化层表面上电镀制作凸块底金属层或重分布电路的良率。

故，有必要提供一种晶圆及其制成的半导体组件与制造方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种晶圆及其制成的半导体组件与制造方法，以解决现有在钝化层表面进行电镀会有不连续的问题。

本发明的主要目的在于提供一种半导体组件，其可以通过在所述切割道横设有桥接部，提高同一晶圆上所有芯片区的电镀良率。

本发明的次要目的在于提供另一种半导体组件，其可避免镀附在钝化层表面的种子层于切割道位置有不连续的情形。

本发明的次要目的在于提供另一种半导体组件的制造方法，其可以通过在所述切割道横设有桥接部，使各芯片区的钝化层表面产生连续的效果。

为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种半导体组件，其中所述半导体组件包含一半导体基板及至少一钝化层，所述半导体基板包含一有源表面、一背面及数个穿导孔，所述背面相反于所述有源表面，所述穿导孔自所述有源表面贯穿至所述背面，所述钝化层覆盖在所述背面上，所述钝化层包含数个矩形单元、数个切割道及数个桥接部，所述矩形单元彼此间隔排列，每一切割道分别位于两相邻矩形单元之间，所述桥接部彼此间隔横跨所述切割道且连接两相邻矩形单元。

另外，本发明另一实施例提供一种半导体组件，其中所述半导体组件包含一半导体基板及至少一钝化层，所述半导体基板包含一有源表面、一背面、数个穿导孔及四个切割边，所述背面相反于所述有源表面，所述穿导孔自所述有源表面贯穿至所述背面，所述钝化层覆盖在所述背面上，所述钝化层包含一矩形单元、一环状的切割道、及数个桥接部残段，所述矩形单元具有四个侧边，所述切割道位于所述矩形单元的侧边与所述半导体基板的切割边之间，所述桥接部残段彼此间隔横跨位于所述切割道。

再者，本发明又一实施例提供一种半导体组件的制造方法，其中所述制造方法包含步骤：备置一半导体晶圆，包含一半导体基板、一有源表面、一背面及数个穿导孔，所述背面相反于所述有源表面，所述穿导孔自所述有源表面贯穿至所述背面；及覆盖至少一钝化层在所述背面上，并且所述钝化层形成数个矩形单元、数个切割道及数个桥接部，所述矩形单元彼此间隔排列，每一切割道分别位于两相邻矩形单元之间，所述桥接部彼此间隔横跨所述切割道且连接两相邻矩形单元。

如上所述，通过在所述切割道横设有桥接部，使两相邻的矩形单元的表面能利用桥接部的接合，达到表面连续的效果，使后续电镀路径可连通所述钝化层的所有矩形单元，以提高同一晶圆上所有芯片区的电镀良率。

附图说明

图1是本发明一实施例半导体组件(半导体晶圆)的示意图。

图2是图1半导体组件的局部放大图。

图3是图2半导体组件的A-A线剖视图。

图4是图2半导体组件的B-B线剖视图。

图5至6是本发明另一实施例半导体组件(半导体晶圆)的剖视图。

图7至8是本发明再一实施例半导体组件(半导体晶圆)的剖视图。

图9是本发明又一实施例半导体组件(半导体芯片)的上视图。

图10是图9半导体组件的C-C线剖视图。

具体实施方式