[发明专利]半导体组件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310336911.7 | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN103531554A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 郑斌宏 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体组件，其特征在于：所述半导体组件包含：
一半导体基板，包含：一有源表面；一背面，相反于所述有源表面；及数个穿导孔，自所述有源表面贯穿至所述背面；及
至少一钝化层，覆盖在所述背面上，所述钝化层包含：数个矩形单元，彼此间隔排列；数个切割道，每一切割道分别位于两相邻矩形单元之间；及数个桥接部，彼此间隔横跨所述切割道且连接两相邻矩形单元。
2.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于：所述半导体组件包含二层或以上依序堆叠的所述钝化层，所述依序堆叠的钝化层在所述切割道处形成阶梯状。
3.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于：较靠近所述背面的钝化层的桥接部的长度小于较远离所述背面的钝化层的桥接部的长度。
4.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于：所述切割道的宽度为80微米至120微米。
5.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于：所述桥接部的宽度为10微米至200微米。
6.一种半导体组件，其特征在于：所述半导体组件包含：
一半导体基板，包含：一有源表面；一背面，相反于所述有源表面；数个穿导孔，自所述有源表面贯穿至所述背面；及四个切割边；及
至少一钝化层，覆盖在所述背面上，所述钝化层包含：一矩形单元，具有四个侧边；一环状的切割道，位于所述矩形单元的侧边与所述半导体基板的切割边之间；及数个桥接部残段，彼此间隔横跨位于所述切割道。
7.如权利要求6所述的半导体组件，其特征在于：所述半导体组件包含二层或以上依序堆叠的所述钝化层，所述依序堆叠的钝化层在所述切割道处形成阶梯状。
8.如权利要求6所述的半导体组件，其特征在于：所述切割道的宽度为40微米至60微米。
9.如权利要求6所述的半导体组件，其特征在于：所述桥接部的宽度为10微米至200微米。
10.一种半导体组件的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：
备置一半导体晶圆，其包含：一半导体基板；一有源表面；一背面，相反于所述有源表面；及数个穿导孔，自所述有源表面贯穿至所述背面；及覆盖至少一钝化层在所述背面上，并且所述钝化层形成：数个矩形单元，彼此间隔排列；数个切割道，每一切割道分别位于两相邻矩形单元之间；及数个桥接部，彼此间隔横跨所述切割道且连接两相邻矩形单元。
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