[发明专利]上电复位电路

说明书

本发明公开了一种上电复位电路，包括电压源，电容，施密特触发器，基准电流源，第一电流镜电路以及第二电流镜电路。电容一端连接施密特触发器的输入端，另一端接地；基准电流源连接电压源；第一电流镜电路将基准电流源的基准电流成比例关系复制为第一电流；第二电流镜电路将基准电流源的基准电流成比例关系复制为第二电流；其中，第二电流镜电路的输出阻抗与电容并联，且与第一电流镜电路的输出端串联。本发明的上电复位电路可实现低功耗、小面积、且在较大的电源上电速度范围内都能产生宽复位脉冲带。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别涉及一种上电复位电路。

背景技术

现在的芯片发展的一个重要的特点就是微型化和集成化，随着移动便携市场的发展，人们对芯片的要求已经不仅仅满足于实现功能，而是对芯片的成本、集成度、功耗等方面提出了越来越高的要求。系统芯片所带来的单片系统集成芯片解决方案不仅能够明显增加集成度、减小芯片体积、提高封装密度，而且可以有效降低芯片系统的成本和造价。与此同时，芯片系统也对其中的各部分模块的性能、面积、功能、稳定性等指标提出了更高的要求。

上电复位（POR）电路的应用非常广泛，几乎所有的芯片系统中都需要有POR电路，以将芯片中的电路恢复到初始状态。芯片中的数字电路对复位电路尤其需要，数字电路中要把整个电路中的移位寄存器、D触发器和计数器都恢复到初始状态或清零，而在模拟电路中，有时也需要复位信号将电路恢复到初始状态，以保证电路的快速地进入正常工作状态。

在一些系统芯片中，为保证系统的有效复位，要求对电源上电速度在一个大的范围内都能产生较宽的有效复位脉冲。为了满足这些要求，传统的POR电路会占用掉较大的功耗，而这又是在集成系统中所不希望看到的。因此，希望提供工艺中能够实现低功耗、小面积而又能在大的电源上电速度范围内都能产生宽复位脉冲的POR电路。

发明内容

本发明的主要目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种低功耗、小面积、且在较大的电源上电速度范围内都能产生宽复位脉冲带的上电复位电路。

为达成所述目的，本发明提供一种上电复位电路，包括电压源，电容以及施密特触发器，所述电容一端连接所述施密特触发器的输入端，另一端接地，所述上电复位电路还包括：基准电流源，连接所述电压源；第一电流镜电路，将所述基准电流源的基准电流成比例关系复制为第一电流；第二电流镜电路，将所述基准电流源的基准电流成比例关系复制为第二电流；其中，所述第二电流镜电路的输出阻抗与所述电容并联，且与所述第一电流镜电路的输出端串联。

可选的，所述上电复位电路还包括第三电流镜电路，其将所述基准电流源的基准电流成比例关系复制为第三电流；所述第三电流镜电路的输出端与所述第二电流镜电路相连，所述第二电流镜电路将所述第三电流成比例关系复制为所述第二电流。

可选的，所述基准电流源包括构成一对电流镜结构的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极与其漏极及所述第二晶体管的栅极相连，源极接所述电压源。

可选的，所述第一电流镜电路包括所述第一晶体管和第三晶体管，所述第三晶体管的源极接所述电压源，栅极与所述第一晶体管的栅极相连，漏极接所述电容。

可选的，所述第三电流镜电路包括所述第一晶体管和第四晶体管，所述第四晶体管的源极接所述电压源，栅极接所述第一晶体管的栅极。

可选的，所述第二电流镜电路包括第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的漏极接其栅极以及所述第四晶体管的漏极，源极接地；所述第六晶体管的栅极接所述第五晶体管的栅极，漏极接所述第三晶体管的漏极，源极接地。

可选的，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管为PMOS晶体管，所述第五晶体管、第六晶体管为NMOS晶体管。