[发明专利]上电复位电路

权利要求书

1.一种上电复位电路，包括电压源，电容以及施密特触发器，所述电容一端连接所述施密特触发器的输入端，另一端接地，其特征在于，所述上电复位电路还包括：

基准电流源，连接所述电压源；

第一电流镜电路，将所述基准电流源的基准电流成比例关系复制为第一电流；

第二电流镜电路，将所述基准电流源的基准电流成比例关系复制为第二电流；其中，所述第二电流镜电路的输出阻抗与所述电容并联，且与所述第一电流镜电路的输出端串联，使得充电时所述第二电流由所述第一电流中分流出来，流经所述电容的充电电流为第一电流减去第二电流的差值。

2.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，还包括第三电流镜电路，其将所述基准电流源的基准电流成比例关系复制为第三电流；所述第三电流镜电路的输出端与所述第二电流镜电路相连，所述第二电流镜电路将所述第三电流成比例关系复制为所述第二电流。

3.如权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述基准电流源包括构成一对电流镜结构的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极与其漏极及所述第二晶体管的栅极相连，源极接所述电压源。

4.如权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一电流镜电路包括所述第一晶体管和第三晶体管，所述第三晶体管的源极接所述电压源，栅极与所述第一晶体管的栅极相连，漏极接所述电容。

5.如权利要求4所述的上电复位电路，其特征在于，所述第三电流镜电路包括所述第一晶体管和第四晶体管，所述第四晶体管的源极接所述电压源，栅极接所述第一晶体管的栅极。

6.如权利要求5所述的上电复位电路，其特征在于，所述第二电流镜电路包括第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的漏极接其栅极以及所述第四晶体管的漏极，源极接地；所述第六晶体管的栅极接所述第五晶体管的栅极，漏极接所述第三晶体管的漏极，源极接地。

7.如权利要求6所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管为PMOS晶体管，所述第五晶体管、第六晶体管为NMOS晶体管。