[发明专利]具有整合型电力供应的装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

包含具有第一与第二主表面的晶粒衬底的晶粒；以及

设置在该晶粒衬底的该第二主表面下方的电力模块，其中，该电力模块透过硅穿孔(TSV)接点电耦合于该晶粒。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该TSV接点是设置在该晶粒衬底内。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，该第一主表面是有源衬底表面而该第二主表面是无源衬底表面。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，电路组件是设置在该第一主表面上。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中：

该电力模块包含至少第一与第二端子；以及

该TSV接点是耦合于该第一与第二端子。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，该至少第一与第二端子之一直接接触该晶粒衬底的该第二主表面。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，该电力模块包含锂电池、太阳能电池或镍金属氢化物(NiMH)电池。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括设置于该晶粒与该电力模块之间具有第一与第二表面的插入件。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，该TSV接点是设置于该插入件内。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，该晶粒是设置在该第一插入件表面上而该电力模块是设置在该第二插入件表面上。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，该晶粒是通过该晶粒衬底内的TSV接点或第一插入件表面上的凸块连接件耦合至该插入件。

12.一种用于形成半导体装置的方法，其包括：

提供包含具有第一与第二主表面的晶粒衬底的晶粒；以及

提供在该晶粒衬底的该第二主表面下方的电力模块，其中，该电力模块是透过硅穿孔(TSV)接点电耦合至该晶粒。

13.根据权利要求11所述的方法，其包括在该晶粒衬底内形成该TSV接点。

14.根据权利要求11所述的方法，其包括在该晶粒与该电力模块之间提供插入件。

15.根据权利要求13所述的方法，其包括在该插入件内形成该TSV接点。

16.一种用于形成半导体装置的方法，其包括：

提供具有第一与第二主表面的晶圆；以及

提供在该晶圆的该第二主表面下方的电力模块，其中，该电力模块是透过硅穿孔(TSV)接点电耦合至该晶圆。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，该晶圆经过处理具有多个晶粒，该多个晶粒在该晶圆的该第一主表面上具有电路组件。

18.根据权利要求16所述的方法，其包括：

在该晶圆内形成TSV接点；以及

薄化该晶圆的该第二主表面以暴露该TSV接点的底部表面。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，提供该电力模块包括在该晶圆的该第二主表面上整体地形成该电力模块。

20.根据权利要求15所述的方法，其中：

该晶圆作用为插入件晶圆，以及包括

在该插入件晶圆内形成该TSV接点。

21.根据权利要求19所述的方法，还包含在该插入件晶圆的该第一主表面上提供至少一晶粒。