[发明专利]工件输送装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种在对半导体晶片等工件进行处理的装置中把持及输送工件用的机构。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，一般使用各种装置以输送半导体晶片等工件(例如专利文献1)。有时在玻璃基板上粘接半导体晶片，连玻璃基板一起输送半导体晶片，对半导体晶片实施研磨等处理。在这种场合，当输送半导体晶片时，最好仅把持玻璃基板进行输送，输送机构不接触实施处理的半导体部分。

另外，在半导体装置的制造中，有时必须输送尺寸不同的半导体晶片。由于半导体晶片的输送机构对应于所处理的晶片大小而设计和调整，故当晶片尺寸不同时，有时无法适当被输送。例如，当半导体晶片尺寸小于输送机构所调整的尺寸时，有时把持力变弱，且把持晶片部位处的间隙过大，晶片的定位精度变差。另外，当半导体晶片尺寸大于输送机构所调整的尺寸时，有时把持力变得过大，给晶片带来过分的应力，另外有时无法适当把持晶片。

另外，在专利文献1中，在CMP(化学机械研磨Chemical Mechanical Polishing)装置中，公开了一种在对基板进行研磨的研磨单元与对研磨后的基板进行洗净的洗净单元之间输送基板的线性传送装置。该线性传送装置具有多个从可直线往复移动的输送台向上方突出的销。该销具有外径向上方逐渐变小的形状，由此，形成相对于水平方向而倾斜的倾斜面。这种线性传送装置，在多个销的内侧区域，在基板被载放在倾斜面上的状态下通过使输送台移动，来输送基板。

专利文献1：国际公开第2007/099976号小册子

当对接合在玻璃基板上的半导体晶片进行输送时，最好是输送机构的晶片把持机构设计成只与玻璃基板接触，不与半导体晶片接触。但是，将半导体晶片接合在玻璃基板上时的接合位置有误差，不一定时常被接合在在一定位置。半导体晶片在玻璃基板上的接合位置在偏离理想位置的情况下，当输送机构把持玻璃基板时，就与半导体晶片接触，有时会给半导体晶片带来损伤。因此希望是，即使半导体晶片在玻璃基板上的接合位置偏离理想位置，输送机构的把持机构也不与半导体晶片接触。

另外，在对尺寸不同的半导体晶片进行输送的情况下，有时对把持晶片的机械臂等的把持机构的动作范围进行变更。但是，要变更把持机构的动作范围，必须暂时中断制造工序，故花费时间。因此希望是，预先设定为能输送多种尺寸的半导体晶片。

另外，在上述的线性传送装置中，晶片等的基板只不过被载放在销的倾斜面上，不是牢固地固定在销上。因此，由于输送基板时的加速度(包含负加速度)引起的，例如基板停止时的冲击，而使基板的载放位置有可能产生偏离。当这种偏离较大时，即，被载放的基板一端侧沿倾斜面向上方偏离得大时，另一端侧就偏离倾斜面脱落，其结果，基板有可能从输送装置上落下。若基板落下，则需要花费再次载放基板用的恢复时间，制造效率就下降。而且，有时基板因落下而损伤。这种问题不限于上述的线性传送装置，对于在载放了基板的状态下进行输送类型的基板输送装置是共有的。由此，在基板输送装置中，需要抑制基板的落下。另外，为了抑制基板的落下，低速输送基板、不产生大的加速度的措施也是可能的，但在这些措施中，输送所需的时间增加，导致制造效率的下降。

发明内容

发明所要解决的课题

本发明解决上述问题中的至少一部分。

用于解决课题的手段

本发明的第1技术方案是，提供一种工件输送装置，用于输送具有基板层及位于所述基板层的一部分上的被加工层的工件。所述工件输送装置具有构成为对所述工件进行把持及解放那样动作的工件把持机构。所述工件把持机构具有在所述被加工层位于所述基板层的下方的状态下对所述工件的所述基板层进行把持的、倾斜的至少一个工件把持表面。所述倾斜的工件把持表面构成为，当由所述工件把持机构把持所述工件时，所述工件把持表面与所述工件的所述被加工层之间存在规定距离R或大小超过该规定距离R的间隙。

本发明的第2技术方案是，在第1技术方案中，倾斜的工件把持表面的倾斜角度θb满足：θ3≦θb＜90°及θ3＝θ1+θ2。这里，将与所述基板层和所述被加工层相接的直线设为L1，将直线L1与所述基板层所构成的角度设为θ1，在以直线L1与所述被加工物的接点为中心画出半径R的圆的情况下将与半径R的圆和所述基板层相接的直线设为L2，将直线L1与直线L2所构成的角度设为θ2，将直线L2与平行于被加工物的面的直线所形成的角度设为θ3。

本发明的第3技术方案是，在第1或第2技术方案中，工件把持表面具有用于对第一尺寸的工件进行把持的第一表面、以及用于对第二尺寸的工件进行把持的第二表面。