[发明专利]一种全隔离结构的制作方法

权利要求书

1.一种全隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：

步骤S01：提供一个硅衬底；

步骤S02：对所述硅衬底进行预处理，形成具有P型或N型中间硅层的复合层硅衬底；

步骤S03：采用槽隔离工艺在所述复合层硅衬底中形成隔离槽，并在所述隔离槽内填充氧化层；

步骤S04：刻蚀所述隔离槽内的部分氧化层，所述剩余部分氧化层的上表面与所述中间硅层顶部齐平；

步骤S05：在所述复合层硅衬底上、所述剩余部分氧化层的上表面和所述隔离槽内侧壁形成一层氮化硅层；

步骤S06：刻蚀去除所述剩余部分氧化层的上表面的氮化硅层；

步骤S07：刻蚀所述剩余部分氧化层，直至暴露出所述中间硅层的侧壁；

步骤S08：采用电化学腐蚀法腐蚀所述中间硅层，使所述中间硅层形成多孔硅层；

步骤S09：进行热氧化工艺，在所述多孔硅层区域形成绝缘层；

步骤S10：经槽隔离工艺，在所述复合层硅衬底中形成所述全隔离结构。

2.根据权利要求1所述的全隔离结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S08中，采用含有氢氟酸的混合腐蚀液进行所述电化学腐蚀。

3.根据权利要求1所述的全隔离结构的制作方法，其特征在于，所述复合层硅衬底的结构为顶层N型硅层/P型硅层/底层N型硅层结构。

4.根据权利要求3所述的全隔离结构的制作方法，其特征在于，所述的复合层硅衬底的形成采用离子注入法和/或外延生长法，包括：

步骤S11：采用离子注入法，在所述硅衬中形成底层N型硅层；

步骤S12：采用外延生长法，在所述底层N型硅层表面形成所述P型硅层；

步骤S13：采用外延生长法，在所述P型硅层表面形成所述顶层N型硅层。

5.根据权利要求4所述的全隔离结构的制作方法，其特征在于，所述的复合层硅衬底的形成方法包括：

步骤S21：采用离子注入法，在所述硅衬底中形成N型硅层；

步骤S22：采用离子注入法，在所述N型硅层表面以下形成P型硅层，从而形成顶层N型硅层/P型硅层/底层N型硅层结构。

6.根据权利要求3所述的全隔离结构的制作方法，其特征在于，所述复合层硅衬底中上层的N型硅层的厚度为50-100nm，所述P型硅层的厚度为5-30nm。

7.根据权利要求3所述的全隔离结构的制作方法，其特征在于，步骤S06中，采用各向异性刻蚀去除所述剩余的部分氧化层的上表面的氮化硅层。

8.根据权利要求1所述的全隔离结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S07中，刻蚀所述剩余部分氧化层，直至所述剩余部分氧化层的顶部与所述中间硅层的底部齐平。

9.根据权利要求1所述的全隔离结构的制作方法，其特征在于，所述槽隔离工艺包括：

步骤S31：依次在所述复合层硅衬底上沉积垫氧化硅层和氮化硅介质层；

步骤S32：经刻蚀，在所述复合层硅衬底、所述垫氧化硅层和所述氮化硅介质层中形成隔离槽；

步骤S33：在所述隔离槽中填充所述氧化层。

10.根据权利要求1所述的全隔离结构的制作方法，其特征在于，所述步骤S05中，所述的氮化硅层的厚度为3-30nm。