[发明专利]功率半导体器件的测试结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201310330631.5 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103367330A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 楼颖颖 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 测试 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种功率半导体器件的测试结构，用于监测体注入和源极注入后的功率半导体器件的性能，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的沟槽；形成于所述半导体衬底上的体注入区；形成于所述体注入区内的多个源极注入区和多个接触孔；形成于所述接触孔上的金属层；其中，所述源极注入区与所述接触孔间隔设置。
2.如权利要求1所述的功率半导体器件的测试结构，其特征在于，所述源极注入区与所述接触孔呈阵列排列。
3.如权利要求1所述的功率半导体器件的测试结构，其特征在于，所述沟槽的形状为回字形。
4.如权利要求1所述的功率半导体器件的测试结构，其特征在于，所述源极注入区与所述沟槽接触；
或所述源极注入区延伸出所述体注入区且延伸的宽度不超过沟槽宽度的一半。
5.如权利要求1所述的功率半导体器件的测试结构，其特征在于，还包括形成于所述沟槽内的栅氧化层和多晶硅层；
及形成于所述体注入区上的介质层，所述介质层覆盖所述源极注入区。
6.一种功率半导体器件的测试结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底中形成沟槽；
在所述半导体衬底上形成体注入区；
在所述体注入区上形成多个源极注入区和多个接触孔；
在所述接触孔内填充金属；
在填充金属后的接触孔的上面形成金属层；
其中，所述源极注入区与所述接触孔间隔设置。
7.如权利要求6所述的功率半导体器件的测试结构的制造方法，其特征在于，所述源极注入区与所述接触孔呈阵列排列。
8.如权利要求6所述的功率半导体器件的测试结构的制造方法，其特征在于，所述沟槽的形状为回字形。
9.如权利要求6所述的功率半导体器件的测试结构的制造方法，其特征在于，所述源极注入区与所述沟槽接触；
或所述源极注入区延伸出所述体注入区且延伸的宽度不超过沟槽宽度的一半。
10.如权利要求6所述的功率半导体器件的测试结构的制造方法，其特征在于，在形成体注入区之前，形成沟槽之后，还包括：在所述沟槽内依次形成栅氧化层和多晶硅层；
及在形成金属层之前，接触孔内填充金属之后，还包括：在所述体注入区上形成介质层，所述介质层覆盖所述源极注入区。
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